最近幾年,臺積電及三星在半導體工藝上超越Intel,後者在14nm節點之前都是全球最先進的半導體公司,然而在10nm節點面臨各種困難,給對手可乘之機。Intel在這個過程中是如何被超越的?CEO基辛格日前接受采訪,特別提到Intel在EUV光刻工藝上的選擇錯誤。
在EUV技術研發上,Intel是全球重要推手,ASML研發EUV光刻機也得到Intel的不少幫助,但是Intel在10nm節點沒有選擇EUV光刻,而是嘗試新的SAQP四重曝光技術,它們的目標是不依賴EUV光刻機也能生產先進工藝。
基辛格表示,當初這個目標是很好的,然而SAQP曝光工藝非常復雜,成本高,隨著時間的推移,Intel站在EUV錯誤的一邊,基辛格表示當時應該至少有一個並行的EUV戰略才對。
基辛格所說的這個事其實就是過去幾年中Intel在10nm工藝上多次跳票的關鍵,這兩年才算是搞定10nm工藝的量產,現在改名為Intel 7工藝。
至於EUV工藝,Intel現在也重視起來,跟ASML的合作很好,今年底量產的Intel 4工藝就是Intel首個EUV工藝,用於首發量產14代酷睿Meteor Lake,明年上市。