快科技8月6日消息，在近日的財報電話會議上，Intel CEO宣佈已成功接收全球第二臺價值3.83億美元的High NA EUV（極紫外光刻機）。
High NA EUV光刻機是目前世界上最先進的芯片制造設備之一，其分辨率達到8納米，能夠顯著提升芯片的晶體管密度和性能，是實現2nm以下先進制程大規模量產的必備武器。
帕特基辛格表示，第二臺High NA設備即將進入Intel位於美國俄勒岡州的晶圓廠，預計將支持公司新一代更強大的計算機芯片的生產。
此前，Intel已於去年12月接收全球首臺High NA EUV光刻機，並在俄勒岡州晶圓廠完成組裝。
此次第二臺設備的引入，將進一步提升Intel在高端芯片制造領域的競爭力，有望幫助公司在2025年實現對臺積電等競爭對手的超越。
High NA EUV光刻機的引入，是IntelIDM 2.0戰略的一部分，該戰略旨在通過技術創新和工藝提升，重塑Intel在全球半導體產業的領導地位。
Intel計劃在2027年前將High NA EUV技術用於商業生產，並在2030年前實現代工業務的收支平衡。
ASML公司能生產，現在NA0.33孔徑的EUV光刻機售價高達1.5億美元，約合10億一臺，不過下一代會更貴。光刻機制造芯片的關鍵指標就是光刻分辨率，其中鏡頭的NA數值孔徑越大越好，現在NA 0.33孔徑的EUV光刻機能夠量產3nm、2nm工藝，再
巨大努力。按照之前的說法，ASML正在研發新款光刻機，價值高達4億美元（約合26億元人民幣），雙層巴士大、重超200噸。原型機預計2023年上半年完工，2025年首次投入使用，2026年到2030年主力出貨。這款機器應該指的就是High-NA EX
半導體設備大廠ASML秀出價值高達3.5億歐元的HighNA極紫外光（EUV）光刻機設備，除英特爾率先取得設備之外，臺積電及三星訂購的新機器預計最快2026年陸續到位，屆時HighNAEUV機器可望成為全球三大晶圓制造廠搶進2納米以下先進制
並降低成本。然而，每個高數值孔徑工具的成本高達 4 億美元，並帶來眾多挑戰，這使得向領先工藝技術的過渡變得復雜（將在本世紀下半葉發生）。
率。不過下代EUV光刻機的成本也會大漲，當前售價在1.5億美元左右，下代價格輕松超過4億美元。
年的實際需求，不過他們將其描述為為滿足2030 年 1 萬億美元半導體行業需求所做出的巨大努力。Christophe Fouquet在高盛的會議上則強調，High NA EUV光刻機將首先在邏輯芯片上應用，隨後，DRAM乃至3D DRAM也會是High NA EUV光刻機關註的
刻機的公司，這臺機器的售價高達3.5億歐元（約合3.73億美元）。盡管存在一定的財務和工程風險，但該設備預計將能夠生產體積更小、處理速度更快的新一代芯片。在與記者的交流中，英特爾光刻主管馬克·菲利普斯（Mark Phillip
出瞭2nm技術的重要性：2nm是矽芯片的最後一戰。砸下600億美元奪nm1965年，英特爾創始人戈登·摩爾提出瞭大名鼎鼎的“摩爾定律”（Moore's law）理論，即集成電路上可容納的晶體管數目，約每隔兩年便會增加一倍。自此之後，
低估通過避免昂貴的雙重和四重曝光來降低流程復雜性的價值。他還表示，人們可以簡單地與英特爾談談雙重曝光帶來的復雜性，他指的是英特爾在10nm方面的失敗，至少部分是由於缺乏EUV技術。英特爾是當今 High-NA 的主要客戶
“四年五個制程節點”的目標，Intel7工藝、采用EUV極紫外光刻技術的Intel4和Intel3均已實現大規模量產。其中，Intel 3作為升級版，應用於服務器端的Sierra Forest、Granite Rapids，將在今年陸續發佈，其中前者首次采用純E核設計，最多2
明兩年接收超過60臺EUV光刻機，預計投資總額將超過123億美元（折合人民幣約894億元）。隨著ASML（阿斯麥）公司產能的持續擴大，預計到2025年，EUV光刻機的交付量將實現30%以上的顯著增長。作為這一趨勢的直接受益者，臺積電
具的最大利用率。據稱，High NA EUV曝光機的價格約為3.8億美元，是上一代低NA EUV曝光機約1.8億美元的兩倍多。
爭相第一時間部署進廠，其中Intel下手最快。這款光刻機價值高達4億美元（約合26億元人民幣），組裝好的體積有雙層巴士大、重超200噸。
增加3倍。大傢非常關心的價格上，ASML的說法是大約3.8億美元，但這隻是起步價，更高配置自然更貴，Intel CEO帕特·基辛格透露在4億美元左右，也就是逼近29億元。相比之下，低NA EUV光刻機約為1.83億美元。除Intel，三星、臺積電