ASML周三表示，它已開始向另一傢客戶運送其第二套高數值孔徑EUV光刻系統。該公告凸顯領先芯片制造商對下一代極紫外（EUV）光刻技術的濃厚興趣。與此同時，尚不清楚ASML的哪傢客戶是第二傢獲得具有0.55數值孔徑投影光學器件的EUV工具的公司。
ASML 首席商務官 Christophe Fouquet 在該公司與分析師和投資者舉行的財報電話會議上表示：“關於 High-NA（即 0.55 NA EUV），我們向客戶交付第一個系統，該系統目前正在安裝中。” “我們本月開始發貨第二個系統，安裝也即將開始。”
ASML 於 2023 年底開始向英特爾交付其首款高數值孔徑 EUV 光刻工具 ——Twinscan EXE:5000。英特爾將使用該系統來學習如何使用此類機器，並將將該系統與英特爾一起投入14A 制造工藝的大規模生產。這還需要幾年時間。通過盡早開始研究基於高數值孔徑 EUV 的工藝技術，英特爾將能夠制定下一代光刻的行業標準，這有望在未來幾年成為競爭優勢。
ASML方面表示：“在 2 月份的 SPIE 行業會議上，我們首次宣佈位於 Veldhoven 的 ASML-Imec High-NA 聯合實驗室中的 High-NA 系統的亮相。” “此後，我們獲得第一張圖像，分辨率低於 10 納米，創下新紀錄，並預計在未來幾周內開始曝光晶圓。所有高數值孔徑客戶都將使用該系統來盡早進行工藝開發。”
雖然臺積電和Rapidus似乎並不急於采用高數值孔徑EUV光刻系統進行量產，但他們仍然必須在未來的某個時候這樣做，這就是為什麼ASML對這項技術的未來持樂觀態度。事實上，全球最大的晶圓廠工具制造商正在探索 Hyper-NA、EUV 光刻工具，其投影光學器件的數值孔徑高於 0.7。
“客戶對我們的 [高數值孔徑] 系統實驗室的興趣很高，因為該系統將幫助我們的邏輯和內存客戶為將高 NA 插入他們的路線圖做好準備，”Fouquet 說。“相對於 0.33 NA，0.55 NA 系統提供更精細的分辨率，在相似的生產率下，晶體管密度幾乎增加 3 倍，支持低於 2 納米的邏輯和低於 10 納米的 DRAM 節點。”
近日，ASML 宣佈其首款具有 0.55 數值孔徑 ( High-NA ) 投影光學器件的極紫外 (EUV) 光刻工具已打印出第一個圖案。該公告對於 ASML 和高數值孔徑 EUV 光刻技術來說都是一個重要的裡程碑。
ASML 在一份聲明中寫道：“我們位於 Veldhoven 的高數值孔徑 EUV 系統打印有史以來第一條 10 納米密集線。” “成像是在光學器件、傳感器和平臺完成粗略校準後完成的。下一步：使系統充分發揮性能。並在現場取得相同的結果。”
ASML 似乎是第一傢宣佈使用高數值孔徑 EUV 光刻系統成功圖案化的公司，這對於整個半導體行業來說是一個重要的裡程碑。ASML 將僅將其 Twinscan EXE:5000 用於自己的開發和完善自己的技術。
相比之下，英特爾將使用其 Twinscan EXE:5000 來學習如何使用高數值孔徑 EUV 光刻技術來批量生產芯片。英特爾將通過其英特爾18A（1.8納米級）工藝技術將該工具用於研發目的，並計劃部署下一代Twinscan EXE：5200掃描儀在其14A（1.4納米級）生產節點上制造芯片。
ASML 的 Twinscan EXE:5200 配備 0.55 NA 鏡頭，設計用於打印 8 納米分辨率的芯片，這比當前 EUV 工具的 13 納米分辨率有顯著改進。與低數值孔徑工具相比，該技術可通過單次曝光打印尺寸小 1.7 倍的晶體管，並實現高 2.9 倍的晶體管密度 。
盡管低數值孔徑系統可以匹配此分辨率，但它們必須使用昂貴的雙圖案技術。實現 8 納米對於制造 3 納米以下工藝芯片至關重要，這些芯片預計將於 2025 年至 2026 年問世。高數值孔徑 EUV 技術的引入將消除對 EUV 雙圖案化的需求，從而簡化生產流程，潛在地提高產量並降低成本。然而，每個高數值孔徑工具的成本高達 4 億美元，並帶來眾多挑戰，這使得向領先工藝技術的過渡變得復雜（將在本世紀下半葉發生）。