ASML慶祝Twinscan NXE:3800E Low-NA EUV Litho光刻設備首次安裝成功

斯麥）交付第三代極紫外（EUV）光刻工具，新設備型號為TwinscanNXE:3800E，配備0.33數值孔徑透鏡。相比於之前的TwinscanNXE:3600D，性能有進一步的提高，可以支持未來幾年3nm及2nm芯片的制造。在ASML看來，Twinscan NXE:3800E代表Low-NA EUV光

本周，ASML交付第三代極紫外(EUV)光刻工具TwinscanNXE:3800E，其投影鏡頭的數值孔徑為0.33。與現有的TwinscanNXE:3600D機器相比，該系統顯著提高性能。它專為制造采用前沿技術的芯片而設計，包括未來幾年的3nm、2nm和小節點。ASML Twinscan

芯片制造方面顯然是最具成本效益的解決方案”。ASML的Twinscan EXE High-NA EUV光刻設備對於生產小於2nm的下一代制程工藝至關重要，但它們也比現有的Twinscan NXE Low-NA（低數值孔徑）極紫外（EUV）光刻設備貴得多，有人說它們的成本

對於芯片廠商而言，光刻機顯得至關重要，而ASML也在積極佈局新的技術。據外媒報道稱，截至2022年第一季度，ASML已出貨136個EUV系統，約曝光7000萬個晶圓已曝光。按照官方的說法，新型號的EUV光刻機系統NXE:3600D將能達到93%的可

臺積電在早前的技術大會上則表示，在全球已經安裝的EUV光刻機系統中，臺積電擁有瞭其中的55%。三星的實際控制人李在鎔日前則拜訪瞭荷蘭總統，以尋找更多的EUV供應。這再次說明，生產先進芯片必不可少的EUV成為瞭全球關註

確實很快做出來。導致尼康潰敗的，應該是ASML的雙工臺TwinScan。TwinScan的光刻機有超過十億行代碼，有無數的高精傳感器和控制器來配合軟件做到納米級的測量和定位。日系一直拿不出可以提前精測的雙工臺，這導致其機器的生

底開始向英特爾交付其首款高數值孔徑 EUV 光刻工具 ——Twinscan EXE:5000。英特爾將使用該系統來學習如何使用此類機器，並將將該系統與英特爾一起投入14A 制造工藝的大規模生產。這還需要幾年時間。通過盡早開始研究基於高數

250名工程師，且需耗時6個月。ASML從2018年開始銷售的所謂low-NA（低數值孔徑）光刻機設備NXE系列，標價是1.7億歐元（約合13.16億元人民幣）。

限公司在用於制造下一代蘋果處理器的新芯片工藝上遇到光刻工具的麻煩。據傳，蘋果公司早在2020年12月就向臺積電訂購3納米處理器的整個生產流程。當時，預計蘋果將在Mac、iPhone和iPad上使用這些處理器。制造商臺積電最近剛

資本市場日會議上定義的“關鍵的浸潤式光刻系統”，即TWINSCANNXT：2000i及後續推出的浸潤式光刻系統。所謂浸沒式光刻機，屬於193nm（光源）光刻機（分為幹式和浸沒式），可以被用於16nm至7nm先進制程芯片的制造，但是目前也

。ASML表示，出口管制條例隻涉及部分最新DUV型號，包括TWINSCAN NXT：2000i及後續推出的浸潤式光刻系統。EUV光刻機在此前已經受到限制，其他系統的發運未受管控。此外，ASML還表示，上述規定是在9月1日才生效，而他們已經提交許

造桂冠的原因有多種。首先，ASML確認53臺低數值孔徑EUV Twinscan NXE設備的收入（2022年為40臺），每臺設備的價格約為1.83億美元。此外，該公司還確認125臺深紫外（DUV）光刻設備的收入（高於一年前的81臺）；其次，由於出口管制

備大廠ASML秀出價值高達3.5億歐元的HighNA極紫外光（EUV）光刻機設備，除英特爾率先取得設備之外，臺積電及三星訂購的新機器預計最快2026年陸續到位，屆時HighNAEUV機器可望成為全球三大晶圓制造廠搶進2納米以下先進制程的必備

灣省的12.5%。世界僅此一傢的EUV公司ASML，旗下新一代的EUV光刻機耗資高達1.5億美元，包含10萬個部件和長達2公裡的佈線。EUV光刻機體現著更先進芯片的制造過程正變得復雜和能源密集。ASML當前每臺EUV的額定耗電量約為1百萬瓦，