上周，ASML慶祝一個重要的裡程碑--該公司的社交媒體賬戶分享其第三代極紫外光（EUV）光刻工具到達一位未具名客戶的消息。帖子包括幾張照片--ASML工人聚集在一對恒溫集裝箱前，PeterWennink（總裁兼首席執行官）和ChristopheFouquet（執行副總裁兼CBO）向公司總部的員工表示感謝。
"芯片制造商需要速度！第一臺 Twinscan NXE:3800E 現已安裝在一傢芯片制造廠。 憑借其新型晶圓平臺，該系統將為先進芯片的印刷提供領先的生產率。我們正在將光刻技術推向新的極限。"
Twinscan NXE:3800E 是 ASML 0.33 數值孔徑（Low-NA）光刻掃描儀系列中的最新平臺。相關信息很少，因為ASML公司尚未發佈 3800E 產品頁面。
而前一個型號--Twinscan NXE:3600D 支持3納米和5納米的 EUV 量產。ASML 的路線圖表明，Twinscan NXE:3800E 是為生產 2 納米和 3 納米級技術的芯片而設計的。該公司最先進的高納極致紫外線（EUV）芯片制造工具（High NA Twinscan EXE）預計成本約為 3.8 億美元。上個月的報道指出，現有的低納極致紫外線光刻系統"的價格可能為 1.83 億美元。
另一臺低噪點EUV設備將於2026年發佈--ASML的下一代Twinscan NXE:4000F型號將與新興的（更昂貴的）高噪點解決方案並存。