ASML已交付第三代EUV 可用於制造2nm芯片

本周，ASML交付第三代極紫外(EUV)光刻工具TwinscanNXE:3800E，其投影鏡頭的數值孔徑為0.33。與現有的TwinscanNXE:3600D機器相比，該系統顯著提高性能。它專為制造采用前沿技術的芯片而設計，包括未來幾年的3nm、2nm和小節點。ASML Twinscan

ASML已經向Intel交付第一臺高NAEUV極紫外光刻機，將用於2nm工藝以下芯片的制造，臺積電、三星未來也會陸續接收，可直達1nm工藝左右。那麼之後呢？消息稱，ASML正在研究下一代HyperNA(超級NA)光刻機，繼續延續摩爾定律。ASML第一代

年隻能生產十幾臺。隨著全球芯片短缺，ASML不得不延遲交付，產能有限，廠商們要買到，並不容易。此次李在鎔到訪歐洲，主要目的之一就是到荷蘭采購ASML下一代EUV光刻機。更早之前，英特爾CEO基辛格為瞭能追趕臺積電、三星

官方的說法，新型號的EUV光刻機系統NXE:3600D將能達到93%的可用性，這將讓其進一步接近DUV光刻機（95%的可用性）。數據顯示，NXE:3600D系統每小時可生產160個晶圓 (wph)，速度為30mJ/cm，這比 NXE:3400C高18%。二正在開發的 NXE:3800E系統最

的替代產品，使納米壓印設備備受期待。預計，該設備將可用於閃存、個人電腦用DRAM，以及邏輯等多種半導體生產用途上。不過，需要指出的是，納米壓印是完全不同於光刻技術的全新路徑，因此它與現有的基於DUV或EUV光刻的

華禁令等一系列重大事件，光刻機從一種不為人知的先進制造設備，一躍成為大眾的新聞熱點。在這當中，荷蘭光刻機廠商ASML幾乎是繞不開的存在。原因並不復雜，因為 ASML 是全球唯一一傢有能力制造先進 EUV 光刻機的公司，臺

斯麥）公司產能的持續擴大，預計到2025年，EUV光刻機的交付量將實現30%以上的顯著增長。作為這一趨勢的直接受益者，臺積電正緊鑼密鼓地準備迎接這一供應潮。據解，ASML去年為滿足市場需求已計劃增產，預計今年將交付53臺EU

們依然還沒有最終確定。不過ASML目前計劃在 2025 年左右交付第一個NXE:4000F系統。semiwiki在文章中表示，對於 0.33 NA 系統，ASML 正致力於通過增加吞吐量和降低總能量來減少每次曝光所需的功耗，而雙重圖案甚至也將成為0.33NA光刻

子束光刻技術制造768皮米，也就是0.7nm的芯片，這種芯片可用於量子計算機。Zyvex推出的光刻系統名為ZyvexLitho1，基於STM掃描隧道顯微鏡，使用的是EBL電子束光刻方式，制造出0.7nm線寬的芯片，這個精度是遠高於EUV光刻系統的，相

在業內，比Intel、臺積電、三星還要早就能接觸到ASML光刻機新品的是比利時微電子研究中心（IMEC），雖然名氣不大，但其實它是世界上最大的半導體專門研究機構。因為離得近，ASML的原型試做機，往往在完工後就第一時間送交I

會議上表示：“關於 High-NA（即 0.55 NA EUV），我們向客戶交付第一個系統，該系統目前正在安裝中。” “我們本月開始發貨第二個系統，安裝也即將開始。”ASML 於 2023 年底開始向英特爾交付其首款高數值孔徑 EUV 光刻工具 ——T

要阻擋襯裡材料來形成適當的佈線結構。隨著器件縮小，可用於銅佈線和襯墊材料的空間變得更小。目前業界一直在尋找其他金屬可以替代銅互連。碳納米管 (CNT)、單層石墨烯 (SLG) 和少層石墨烯 (FLG)）與其他相關互連材料（鎢 (

L慶祝一個重要的裡程碑--該公司的社交媒體賬戶分享其第三代極紫外光（EUV）光刻工具到達一位未具名客戶的消息。帖子包括幾張照片--ASML工人聚集在一對恒溫集裝箱前，PeterWennink（總裁兼首席執行官）和ChristopheFouquet（執行副

SemiAnalysis分析師的批評，分析師認為，至少對於一些芯片制造商來說，使用該公司的下一代High-NA（高數值孔徑）光刻設備在財務上意義不大。在最近接受BitsandChips采訪時，ASML首席財務官表示，High-NA正在走上正軌且健康，該分析