半導體設備大廠ASML秀出價值高達3.5億歐元的HighNA極紫外光（EUV）光刻機設備，除英特爾率先取得設備之外，臺積電及三星訂購的新機器預計最快2026年陸續到位，屆時HighNAEUV機器可望成為全球三大晶圓制造廠搶進2納米以下先進制程的必備武器。
媒體報道，ASML近期對外秀出High NA EUV光刻機設備，一臺要價3.5億歐元，大小等同於一臺雙層巴士，重量更高達150公噸，相較於兩架空中巴士A320客機，裝機時間推估需要六個月，並需要250個貨箱、250名工程人員才能安裝完成，不僅價格高昂又相當耗時。
英特爾早在去年12月已先行拿下一臺High NA EUV光刻機設備，不過，英特爾原預期將該光刻機設備導入在自傢18A的先進制程量產，不過，日前英特爾CEO基辛格（Pat Gelsinger）宣佈，不會在18A制程采用High NA EUV量產，代表暫時延後採用High NA EUV光刻機設備。
至於臺積電、三星等晶圓代工大廠在High NA EUV設備機器采購上，腳步則慢於英特爾。業界指出，由於High NA EUV光刻機價格是當前EUV光刻機的兩倍，代表生產成本將大幅增加，由於明年即將量產的2納米晶圓售價仍未大幅增加，成為臺積電、三星不急於導入High NA EUV光刻機臺的關鍵。
業界人士推測，臺積電預計最快在1.4納米（A14）才導入High NA EUV光刻機臺，代表2025年才可望有采購設備的消息傳出，若按照臺積電先前對外釋出的1.4納米量產時間將落在2027年至2028年計劃下，臺積電的High NA EUV光刻機臺交貨時間可能落在2026年開始陸續交機。
不過，可以確定的是，ASML的High NA EUV光刻機臺已成為英特爾、臺積電及三星等晶圓制造大廠進軍2納米以下先進制程的必備武器，僅是大量采用的時間先後順序差別。
事實上，進入7納米以下後，臺積電就開始導入EUV光刻機設備，原因在於光罩曝光層數大幅增加，在至少20層以上的重復光刻需求下，孔徑重復對準的精準度要求愈來愈高，讓EUV光刻機成為必備設備，不僅提高良率，也能降低生產成本。