光罩薄膜是極紫外(EUV)光刻工藝中的關鍵部件，指的是在光罩上展開一層薄膜，然後機器在上面繪制要在晶圓上壓印的電路，以免光罩受空氣中微塵或揮發性氣體的污染，減少光掩模的損壞。目前，光罩薄膜的供應商主要是荷蘭ASML、日本三井化學和韓國S&STech，韓國的EUV薄膜一直被外部廠商壟斷。
作為晶圓代工大廠，三星在2021就宣佈自研EUV薄膜，並在今年初自主開發出透光率達88%的EUV薄膜。
但是三星並不滿足於此，因為目前市場上也有透光率達到90%或以上的EUV薄膜，一傢是ASML，另外一傢是S&S Tech。
三星半導體近期發佈的一份招聘通知顯示，正推動開發透光率為92%的EUV薄膜，同時三星也將與外部機構合作，開發和評估由碳納米管和石墨烯制成的EUV薄膜。
三星在晶圓代工領域的老對手臺積電在2019年開始，就使用自己研發的EUV薄膜，並且在2021年時宣佈，其EUV薄膜的產能相比2019年將提高20倍。
有業內人士表示，三星推動EUV薄膜的開發，是為更快的追趕上臺積電。
韓媒《BusinessKorea》周四(30日)報導，三星電子和ASML就引進今年生產的EUV曝光機和明年推出高數值孔徑極紫外光High-NAEUV曝光機達成采購協議。三星電子副董事長李在鎔本月初赴歐洲之行，他在 6 月 14 日前往 ASML 位於荷蘭 Veldhoven
時，6月初被美國總統拜登亞洲行接見後，緊接著，韓國三星電子副會長李在鎔又馬不停蹄奔赴歐洲，有報道指三星電子在阿斯麥獲得瞭十多臺EUV光刻機，並於本周起大規模生產3nm芯片，而2nm將於2025年量產。盡管量產2nm芯片依然
制造技術，目前量產產品已推進到3納米。雖然臺積電、三星等公司都已量產3納米制程工藝，但日本工廠目前隻能生產40納米產品。可見Rapidus的成立的目的就是要提高日本當地的半導體制造水平。近兩年，日本政府不斷反思本國
在追趕臺積電的路上，三星又有新動作。前些天，三星宣佈將其第二代3nm制程工藝的命名改為2nm，並已經將此消息通知客戶和合作夥伴。去年，有報道稱該公司將更改該制程的名稱，現在，得到三星官方的確認。三星稱，該制程
，在全球晶圓代工廠商中綜合實力最強的三傢：臺積電，三星，英特爾，其中的兩傢——三星和英特爾——都從IDM進入晶圓代工業，且投入力度越來越大。01發展策略各有不同對於臺積電、英特爾和三星這三大廠商來說，原來采
技術標準，尤其是先進封裝領域。他認為，當前臺積電、三星和Intel等芯片巨頭各自為戰，使用不同的封裝標準，這不僅影響生產效率，也可能對行業利潤水平造成影響。目前僅臺積電、三星和Intel三傢公司在先進制程芯片制造
的供應結構之上。面對這種狀況，目前拼命追趕的是韓國三星電子。在ASML和臺積電這2傢企業在2次國際會議受到關註的同一時間，被判處有期徒刑2年零6月並被收監、但目前獲得假釋的三星副會長李在鎔飛往荷蘭。李在鎔14日與AS
導者，然而在14nm到10nm節點之間遇到問題，導致臺積電、三星追趕上來，並且率先量產EUV工藝，不過Intel也在努力反超，CEO制定的路線圖意味著他們隻要2年就能實現EUV工藝趕超臺積電、三星的計劃。Intel目前量產的工藝是Intel 7，
6月30日，正如之前外界傳聞的那樣，三星電子今天正式對外宣佈，其已開始大規模生產基於3nmGAA（Gate-all-around，環繞柵極）制程工藝技術的芯片，這也使得三星搶先臺積電成為瞭全球首傢量產3nm的晶圓代工企業。三星量產3nm GAA
在全球晶圓代工市場上，臺積電與三星是遙遙領先其他廠商的，7nm以下的工藝隻有他們玩得轉，而且臺積電最近幾年也全面領先三星，這讓三星追趕臺積電的急迫性很高，6月底終於在3nm工藝上彎道超車臺積電一次。之所以說彎
的需求，導致芯片價格一路飆升，狂漲數十倍。臺積電和三星作為目前全球排名前二的芯片代工廠，更是在這兩年中賺得盆滿缽滿，哪怕臺積電不斷提高芯片代工價格，訂單還是接到手軟。特別是下半年3nm工藝量產，更是可能給
早在5月，美國總統喬·拜登參觀瞭三星的平澤園區，並參觀瞭一個將在3納米工藝節點上運行的尖端技術工廠。業內人士預計，這傢韓國巨頭將在未來幾天宣佈開始批量制造，在生產世界上最先進的芯片的過程中擊敗競爭對手臺
3nm代工產品已經發貨，對過去兩三年晶圓代工陷入困局的三星來說，多少可以恢復一些信心。據報道，競爭對手臺積電（TSMC）的3nm工藝會在9月份正式進入量產階段，傳聞初期良品率比當時5nm工藝還要好，繼續對三星形成壓力。
半導體寒冬對韓國三星的存儲芯片和代工業務造成打擊，今年第三季度三星可能把全球第一大半導體銷售公司的位置讓給臺積電。據韓媒nocutnews報道，今年第三季度，臺積電取代三星首次坐上全球半導體銷售額第一的位置。其中