Intel奇跡上演：2年內EUV工藝超越量產多年的臺積電、三星

開始大規模生產基於3nmGAA（Gate-all-around，環繞柵極）制程工藝技術的芯片，這也使得三星搶先臺積電成為瞭全球首傢量產3nm的晶圓代工企業。三星量產3nm GAA制程，上海磐矽為首批客戶2021年6月，三星就率先宣佈其基於GAA技術的3nm

狂的計劃，那麼這個瘋狂的計劃是否可能實現呢？工藝“奇跡”要來？如果說在2025年實現1.8nm制程並量產是瘋狂的計劃，那麼英特爾近日公佈的新路線圖則更加離譜。在最新的路線圖中，英特爾會在今年發佈Intel 4制程，在Q3或Q4

在2021年正式推出IFS服務的，一切才剛剛開始。綜合以上3年內的市占率來看，臺積電年年穩步提升，而三星則正相反。英特爾經過兩年的籌備和發展，在2023年第三季度首次出現在該榜單中，但在第四季度又消失。這些，從一個側

最近幾年，臺積電及三星在半導體工藝上超越Intel，後者在14nm節點之前都是全球最先進的半導體公司，然而在10nm節點面臨各種困難，給對手可乘之機。Intel在這個過程中是如何被超越的？CEO基辛格日前接受采訪，特別提到Intel在E

星爺的電影《功夫》中，火雲邪神說一句話狠經典，“天下武功，無堅不摧，唯快不破”，再厲害的功夫也會被擊敗，但速度快到極致就沒人能打敗你，這句話也對當前的Intel很適用，過去14nm節點他們用6年時間才升級，但從2021

方案（DS）部門負責人Kye Hyun Kyung曾公開表示，要在未來5年內超越臺積電和其它行業巨頭。而臺積電總裁魏哲傢在昨天的法人說明會上披露，臺積電有望在2025年量產2nm工藝芯片。

速前進的根本動力。但隨著芯片制程進入到5nm、3nm，很多工藝結構的設計已經開始接近於原子層面，對設計的精度、良率都有很高的要求，也使得技術的突破變得愈加困難。因此，如今的芯片微縮，則更加依賴光刻機技術以及新

工廠已於4月啟動租賃程序。三星則在最近宣佈在未來五年內，將在半導體等關鍵行業投資共計約2.34 萬億元，並誓言2025年量產2nm。這場馬拉松式的賽跑看來一時還難分勝負。但無疑，三大巨頭在3nm及以下的爭奪都與光刻機強相

的壽命可以延長將近4倍。但到2納米制程後，涉及原有的工藝架構、材料、設備的更新，技術革新，意味著產業格局或將重新洗牌，這也是諸多企業甚至國傢和地區決定押註2納米的原因之一。除老玩傢臺積電和三星，另一個傳統

藝上輸給臺積電、三星，但他們這兩年正在奮起直追，4年內掌握5代CPU工藝，明年將量產20A、18A兩代工藝，相當於友商的2nm、1.8nm。這兩代工藝不僅會首次進入埃米級節點，同時還有兩大黑科技首發PowerVia背面供電、RibbonFET全環繞

己都心頭納悶啊，事後會過味來，你說為啥我自個的芯片工藝，良品率會這麼差呢？這不，上上上上個月展開瞭調查，結果到現在也還沒個說法。而且作為全球十大半導體公司，在大傢都在喊著缺芯缺芯的時候，三星反而成瞭

ntel要推出的13代酷睿RaptorLake還是12代酷睿的改進版，制程工藝也是Intel7，隻是再多8個效能核，總計24核32線程，繼續兼容DDR5/DDR4、LGA1700平臺等。明年就要輪到14代酷睿，代號MeteorLake流星湖，這一代架構改進很大，第一次采用非單

代高NAEUV光刻機，但是臺積電一直不為所動，可能要到1nm工藝時代才會跟進。Intel計劃將高NAEUV光刻機用於Intel18A後的制程節點，也就是超過1.8nm，時間大概在2026-2027年。Intel此前公佈的路線圖上，18A之後已經安排三個新的制程節點

在EUV光刻工藝上，Intel此前承認他們過去翻錯，讓臺積電、三星搶先，畢竟Intel是最早研發EUV工藝的半導體公司之一，現在Intel可以追上來，今年底就首次使用EUV的Intel 4工藝就會規模量產。Intel 4就是之前的Intel 7nm工藝，也是Intel