Intel已於日前接受ASML的第一臺新一代高NAEUV光刻機,但是臺積電一直不為所動,可能要到1nm工藝時代才會跟進。Intel計劃將高NAEUV光刻機用於Intel18A後的制程節點,也就是超過1.8nm,時間大概在2026-2027年。
Intel此前公佈的路線圖上,18A之後已經安排三個新的制程節點,但尚未具體命名。
基辛格透露其中一個相當於1.5nm工藝,預計命名為15A,將在德國工廠量產。
臺積電對於高NA EUV光刻機引入計劃則一直守口如瓶,有多個消息來源稱臺積電還在觀望評估,目前計劃要等到1nm工藝節點才會上馬,而時間要等到2030年左右。
臺積電目前正在沖刺2nm工藝,預計2025-2027年間量產,單芯片可集成超過1000億個晶體管,單個封裝可超5000億個。
然後是1.4nm、1nm,其中後者計劃2030年左右量產,將在單顆芯片內集成超過2000億個晶體管,單個封裝內則超過1萬億個,相比N2工藝翻一倍。
有趣的是,Intel也計劃在2030年做到單個封裝1萬億個晶體管,可謂針鋒相對。