在EUV光刻工藝上，Intel此前承認他們過去翻錯，讓臺積電、三星搶先，畢竟Intel是最早研發EUV工藝的半導體公司之一，現在Intel可以追上來，今年底就首次使用EUV的Intel 4工藝就會規模量產。
Intel 4就是之前的Intel 7nm工藝，也是Intel首次使用EUV光刻機，高性能庫的晶體管密度可達1.6億晶體管/mm2，是目前Intel 7的2倍，高於臺積電的5nm工藝的1.3億晶體管/mm2，接近臺積電3nm的2.08億晶體管/mm2。
Intel官方對Intel 4工藝的進度一直很樂觀，之前多次說過今年底投產，不過到底是什麼級別的生產？解半導體玩傢知道，風險試產、小規模生產及大規模量產是完全不同的。
最新消息顯示，Intel 4工藝現在已經到大規模量產（high volume）階段，意味著Intel在商業生產上沒問題。
首發Intel 4的是14代酷睿Meteor Lake處理器，Q4季度會有正式流片，產品則會在明年上市。
根據之前的消息，14代酷睿不僅會升級Intel 4工藝及新的架構，還會首次使用多芯片整合封裝，CPU、核顯、輸入輸出等各自獨立，制造工藝也不盡相同。
Meteor Lake的CPU Tile模塊是Intel 4工藝生產的，IOE Tile以及SoC Tile模塊則是臺積電6nm工藝生產的，Graphics Tile顯卡模塊則是臺積電5nm工藝生產，還有個Base Tile則是Intel自傢的22nm工藝生產。
在14代酷睿上，Intel做到5個芯片合一，融合4種不同的邏輯工藝。