三星公佈芯片計劃：3年內量產2納米 5年內超越臺積電

據外媒報道，三星電子預計5年內將在芯片代工領域超過其主要競爭對手臺積電。三星是世界上最大的存儲芯片制造商，也是第二大代工芯片制造商，它正與全球最大的代工企業臺積電展開競爭。如今，三星正努力在芯片代工制

半導體工藝領導者的基礎，20A及18A工藝有望超越臺積電、三星的2nm及後續工藝。

（鰭式場效應晶體管），也就是進入GAA晶體管時代，不過三星在3nm節點就已經采用這個技術。N2相較於N3，在相同功耗下，速度快10~15%；相同速度下，功耗降低25~30%，開啟高效能新紀元。不過密度方面擠牙膏，相比3nm僅提升10%，

導者，然而在14nm到10nm節點之間遇到問題，導致臺積電、三星追趕上來，並且率先量產EUV工藝，不過Intel也在努力反超，CEO制定的路線圖意味著他們隻要2年就能實現EUV工藝趕超臺積電、三星的計劃。Intel目前量產的工藝是Intel 7，

調，芯片技術應該要每兩年就有進步，且成本不能太高。三星高管此前曾表示，三星的芯片制程技術將在未來5年內超越臺積電。臺積電業務開發資深副總經理張曉強在論壇上透露，臺積電3納米去年量產，2納米預計2025年量產，

6月30日，正如之前外界傳聞的那樣，三星電子今天正式對外宣佈，其已開始大規模生產基於3nmGAA（Gate-all-around，環繞柵極）制程工藝技術的芯片，這也使得三星搶先臺積電成為瞭全球首傢量產3nm的晶圓代工企業。三星量產3nm GAA

半導體寒冬對韓國三星的存儲芯片和代工業務造成打擊，今年第三季度三星可能把全球第一大半導體銷售公司的位置讓給臺積電。據韓媒nocutnews報道，今年第三季度，臺積電取代三星首次坐上全球半導體銷售額第一的位置。其中

，在全球晶圓代工廠商中綜合實力最強的三傢：臺積電，三星，英特爾，其中的兩傢——三星和英特爾——都從IDM進入晶圓代工業，且投入力度越來越大。01發展策略各有不同對於臺積電、英特爾和三星這三大廠商來說，原來采

昨天，世界著名的半導體巨頭三星，宣佈瞭一條大新聞。基於3納米（nm）制程的芯片，正式量產瞭！在紙面參數上，可謂是實現瞭質的飛躍——性能猛提30%，功耗猛降50%，面積也減少瞭35%。來源：新智元中間三位大咖抱的可不是

電的4nm工藝生產其Snapdragon 8 Gen 2 SoC，該芯片應用於新的三星Galaxy S23旗艦智能手機系列。消息人士指出，聯發科計劃在2024年開始使用臺積電的3nm制造工藝，預計最早將於12月推出采用N3E工藝制造的解決方案。消息人士稱，OPPO已經

通向1nm及以上準備的技術：互連3.0和VTFET。Imec在今年5月公佈1nm以下晶體管的路線圖，在其路線圖中1nm等於10埃。不僅如此，到6月，Imec更是表示其與ASML簽署一項重要協議，與ASML共同合作開發1nm以下芯片。ASML將提供最新型號 0.55 N

在先進芯片工藝上，美國廠商也落後於臺積電、三星，這兩傢量產或者即將量產的7nm、5nm及3nm遙遙領先，然而美國還有更多的計劃，並不一定要在先進工藝上超越它們，甚至準備逆行，復活90nm工藝，制造出來的芯片性能是7nm芯

米制程之後，全球半導體代工廠僅剩臺積電（NYSE:TSM）、三星（PINK:SSNLF）和英特爾（NASDAQ:INTC）三傢。而在7納米制程之後，全球范圍內的競爭者就剩下臺積電和三星。其實，在2021年，IBM就發佈全球首顆2納米制程的芯片，根據公

遜和驍龍芯片制造商高通。排在臺積電之後的第二大廠商三星於6月開始制造3納米芯片，並計劃在2024年進行改進設計。與臺灣的競爭對手一樣，該公司希望在2025年開始2納米的大規模生產。10月，三星披露一份路線圖，計劃到2027