在先進芯片工藝上,美國廠商也落後於臺積電、三星,這兩傢量產或者即將量產的7nm、5nm及3nm遙遙領先,然而美國還有更多的計劃,並不一定要在先進工藝上超越它們,甚至準備逆行,復活90nm工藝,制造出來的芯片性能是7nm芯片的50倍。
美國晶圓廠SkyWater日前宣佈獲得美國國防部下屬的DARPA的進一步資助,後者將給予2700萬美元以推動開發90nm戰略抗輻射 (RH90) FDSOI 技術平臺,總的投資計劃高達1.7億美元。
相比臺積電、三星、Intel等半導體公司,SkyWater不僅規模小,而且資歷也淺,2017年成立,晶圓廠主要來源於賽普拉斯半導體公司的芯片制造部門,工藝並不先進,主要生產130nm及90nm,部分先進芯片才到65nm級別。
然而他們卻得到美國DARPA的青睞,成立沒多久就開始參與後者的ERI電子復興計劃,該計劃在5年內投資15億美元,推動美國半導體行業發展。
ERI計劃中,SkyWater並沒有追求技術更強但更昂貴的先進工藝,而是用90nm工藝制造3D SoC芯片,通過集成電阻RAM、碳納米管等材料實現更強的性能,性能可達7nm芯片的50倍。
當然,這些技術現在還沒有實現完全突破,畢竟這樣的做法是之前沒有的,一旦成功,可能是改變半導體行業規則的新技術。