6月28日，據韓國日報消息，三星將在6月30日宣佈量產3nm工藝，此舉也意味著三星在新一代工藝節點上彎道超車臺積電，後者預計今年下半年才會量產3nm工藝。3nm工藝的具體詳情還沒公佈，但是之前導致三星被質疑的良率問題應該已經解決，韓國分析師、HMC投資證券公司研究中心主管GregRoh日前透露稱，三星的3nm工藝良率提升速度遠高於市場預期、新增客戶速度相當快。
根據他的數據，三星晶圓代工業務將成長40%左右、高於業界整體25%的增幅水平。
按照三星去年公佈的信息，3nm節點也分為3GAE及3GAP，前者主要是三星自己用，後者首次使用GAA晶體管，面向外部代工客戶。
根據三星的說法，與7nm制造工藝相比，3nm GAA技術的邏輯面積效率提高瞭45%以上，功耗降低瞭50%，性能提高瞭約35%，紙面參數上來說卻是要優於臺積電3nm FinFET工藝。
份額高達58.5%，三星位列第二，但份額隻有15.8%，三星想彎道超車臺積電，還有很長一段路要走。
來自中國臺灣的研究員劉佩真表示，三星期望在3nmGAA制程彎道超車臺積電的意圖相當濃厚，不過三星仍未實際接獲3nm訂單，三星下周若宣佈量產3nm制程，宣傳意義應大於實質意義。目前臺積電在晶圓代工市場的份額高達53.6%，遠
這一次三星終於領先臺積電率先量產新一代工藝，而且是彎道超車，後者的3nm今年下半年才會量產。根據三星官方介紹，在3nm芯片上，其放棄之前的FinFET架構，采用新的GAA晶體管架構，大幅改善芯片的功耗表現。與5nm相比，新開
昨天，世界著名的半導體巨頭三星，宣佈瞭一條大新聞。基於3納米（nm）制程的芯片，正式量產瞭！在紙面參數上，可謂是實現瞭質的飛躍——性能猛提30%，功耗猛降50%，面積也減少瞭35%。來源：新智元中間三位大咖抱的可不是
讓三星追趕臺積電的急迫性很高，6月底終於在3nm工藝上彎道超車臺積電一次。之所以說彎道超車，是因為三星不僅在3nm量產時間上早於臺積電，而且還更激進地上GAA晶體管技術，放棄現在一直在用的FinFET晶體管，臺積電也要到20
早前，英特爾曾經就自己的未來處理器架構和工藝發展公佈過路線圖，在英特爾的計劃中，將於2025年完成1.8nm制程的量產，並應用到18代酷睿處理器上。在3年內完成10nm到1.8nm的跨越，這個計劃聽起來就十分瘋狂，畢竟從14nm到10nm
不太可能。三星領先臺積電跨入GAA架構Nanosheet制程，力圖彎道超車，不過，比較晶體管密度、性能、能耗後，同年內，三星的制程工藝都落後於臺積電，臺積電晶體管密度約是三星的1.5倍以上，;先進制程客戶數量方面，臺積電
意的是，三星目標是在2025年迎頭趕上臺積電，2027年實現超車。傳聞三星將會在2025年量產2nm，2027年量產1.4nm，同時希望能拿到蘋果訂單。
ogy達成更深度合作，旨在提高半導體芯片的生產良率，以超車臺積電。事實上，三星最近的5nm、4nm一直飽受詬病，核心問題就是良率低，而3nm至今的良率甚至不到20%。值得一提的是，ASML本周也宣佈在韓國華城，三星最大的芯片
的競爭已持續近十年，三星這次能否如願借助3nm工藝實現彎道超車，一舉趕超臺積電呢？答案可能很快就會揭曉。臺積電、三星的歷史恩怨臺積電和三星作為芯片代工廠，自身其實是不會進入芯片研發或銷售領域，以避免和客戶
是與Intel想要另起爐灶通過收購人工智能加速其芯片公司彎道超車不同，AMD的策略就是通過改善其GPU在人工智能領域的加速性能和Nvidia正面競爭。這個策略和當年AMD進入服務器處理器市場和Intel競爭如出一轍，即首先以備用供貨
und，環繞柵極）制程工藝技術的芯片，這也使得三星搶先臺積電成為瞭全球首傢量產3nm的晶圓代工企業。三星量產3nm GAA制程，上海磐矽為首批客戶2021年6月，三星就率先宣佈其基於GAA技術的3nm制程成已成功流片（Tape Out）。隨後
出席道賀。面對三星和臺積電的制程優勢，英特爾真能“彎道超車”嗎？在美國2800億美元的“芯片與科學法案”通過一個多月之後，英特爾計劃已久的俄亥俄州200億美元的芯片工廠終於正式破土動工。作為半導體產業回歸美國
在追趕臺積電的路上，三星又有新動作。前些天，三星宣佈將其第二代3nm制程工藝的命名改為2nm，並已經將此消息通知客戶和合作夥伴。去年，有報道稱該公司將更改該制程的名稱，現在，得到三星官方的確認。三星稱，該制程