今年，三星早早就宣佈投產3nm，然而，最早的客戶居然是一傢礦機芯片企業，據說三星電子的Exynos芯片要等到第二代才敢用。
雖然在本周的媒體交流中，高通高管給韓國吃定心丸稱，自己不會把芯片全部交給臺積電代工，可對於三星來說，自己不上心的話，一切都是白搭。
據報道，三星方面已經與美國公司Silicon Frontline Technology達成更深度合作，旨在提高半導體芯片的生產良率，以超車臺積電。
事實上，三星最近的5nm、4nm一直飽受詬病，核心問題就是良率低，而3nm至今的良率甚至不到20%。
值得一提的是，ASML本周也宣佈在韓國華城，三星最大的芯片基地旁建設設備再制造中心，後期還規劃研發、培訓等項目，這對三星乃至韓國半導體也是積極的消息。
0％，高則70-80％，與5nm工藝初期的水平類似。相比之下，三星3GAE的初期良率要低得多，估計在10-20％左右，而且一直沒有明顯改善，芯片質量也參差不齊。對於這樣的說法，韓國方面是絕對不服的。1月10日消息，根據韓國經濟日
將提供可調節的通道寬度以獲得更高的性能或降低功耗。三星3nm，起個大早其實早在臺積電公佈3nm量產之前，三星早就宣佈已經實現3nm工藝的量產。2022年六月，三星宣佈已開始采用環柵 (GAA) 晶體管架構的 3 納米 (nm) 工藝節點的
在追趕臺積電的路上，三星又有新動作。前些天，三星宣佈將其第二代3nm制程工藝的命名改為2nm，並已經將此消息通知客戶和合作夥伴。去年，有報道稱該公司將更改該制程的名稱，現在，得到三星官方的確認。三星稱，該制程
6月28日，據韓國日報消息，三星將在6月30日宣佈量產3nm工藝，此舉也意味著三星在新一代工藝節點上彎道超車臺積電，後者預計今年下半年才會量產3nm工藝。3nm工藝的具體詳情還沒公佈，但是之前導致三星被質疑的良率問題應該
6月30日，正如之前外界傳聞的那樣，三星電子今天正式對外宣佈，其已開始大規模生產基於3nmGAA（Gate-all-around，環繞柵極）制程工藝技術的芯片，這也使得三星搶先臺積電成為瞭全球首傢量產3nm的晶圓代工企業。三星量產3nm GAA
的需求，導致芯片價格一路飆升，狂漲數十倍。臺積電和三星作為目前全球排名前二的芯片代工廠，更是在這兩年中賺得盆滿缽滿，哪怕臺積電不斷提高芯片代工價格，訂單還是接到手軟。特別是下半年3nm工藝量產，更是可能給
，在全球晶圓代工廠商中綜合實力最強的三傢：臺積電，三星，英特爾，其中的兩傢——三星和英特爾——都從IDM進入晶圓代工業，且投入力度越來越大。01發展策略各有不同對於臺積電、英特爾和三星這三大廠商來說，原來采
。報道指出，目前唯一能與臺積電在先進技術上競爭的是三星電子，然而三星在3nm工藝制程上落後臺積電，三星第二代3nm工藝最快要到2024年，因此蘋果A17將由臺積電代工。據悉，3nm是目前臺積電最先進的制程，相較於5nm，基於N3
》正式名稱為（Restriction of Special Taxation Act）。該法案將三星電子和SK海力士等大公司的設施投資企業稅收減免從之前的6%提高到8%；中型企業和歸類為小型或中型的公司的稅收減免保持不變，分別為8%和16%。華爾街見聞此前提及
時，6月初被美國總統拜登亞洲行接見後，緊接著，韓國三星電子副會長李在鎔又馬不停蹄奔赴歐洲，有報道指三星電子在阿斯麥獲得瞭十多臺EUV光刻機，並於本周起大規模生產3nm芯片，而2nm將於2025年量產。盡管量產2nm芯片依然
下，臺積電持續取得手機、HPC等大客戶以外訂單。當前，三星電子與英特爾苦陷先進制程投資黑洞，巨額成本恐難以回收。展望2023年上半，臺積電或將無法避免進入產業高庫存、低需求暴風圈。市場預期，臺積電營收成長動能
5日消息，對於立志要在2030年成為全球半導體市場老大的三星來說，他們在內存及閃存上的競爭力沒有問題，但在邏輯芯片制造上大幅落後於臺積電，特別是先進工藝，為此三星希望在5年內超越臺積電。該公司高管表示，在4nm節
由於三星3納米GAA制程技術晶圓良率仍不理想，高通下一代處理器驍龍8Gen4將取消臺積電、三星雙代工戰略，改由臺積電獨傢代工。臺積電的法人還預估，由於高通、英偉達等大客戶爭先使用，臺積電明年下半年的3納米月產能有
在先進工藝競爭上，三星跟臺積電一直是領先的兩傢，而且這兩傢公司可謂一時瑜亮，三星最近10年被臺積電各種壓制，直到6月底的3nm工藝上三星終於搬回一局，搶先量產3nm，而且是GAA晶體管技術。相比之下，臺積電的3nm工藝還