由於三星3納米GAA制程技術晶圓良率仍不理想，高通下一代處理器驍龍8Gen4將取消臺積電、三星雙代工戰略，改由臺積電獨傢代工。臺積電的法人還預估，由於高通、英偉達等大客戶爭先使用，臺積電明年下半年的3納米月產能有望提升至10萬片。
據前不久報道，三星完整的3nm GAA晶圓很難生產，並且良率隻有50%，芯片成本相比70%良率高40%。
而臺積電規劃的3nm工藝共有5種，分別是N3B、N3E、N3P、N3S和N3X，其中N3B是其已經量產的首個3nm節點，良率達到70%-80%左右。
N3E則是N3B的增強版，但從臺積電已經披露的技術資料來看，其良率更高、成本更低，但性能會略低於N3B。
綜合考慮成本和性能，高通下一代旗艦芯片驍龍8 Gen4放棄三星代工，由臺積電獨傢代工也就不足為奇。
三星最近開始向客戶交付首批3nmGAA芯片，但智能手機芯片供應商並沒有很快被其吸引，而是繼續與競爭對手臺積電接洽未來訂單。不過據半導體、移動與無線行業分析師SravanKundojjala在Twitter上所述，這一情況有望於2024年迎來轉變
升。按照傳統慣例，驍龍8 Gen4將會被應用到小米15系列、三星Galaxy S25系列等機型中。
，柵極間距並不如N3B。不僅如此，第一代3nm N3B成本高、良率低，隻有70%-80%之間，這意味著芯片制造過程中有至少20%的產品存在缺陷，而N3E良率高、成本低，性能會略低於N3B。除采用3nm工藝，高通驍龍8 Gen4將會啟用自研的Nuvia架
6月30日，正如之前外界傳聞的那樣，三星電子今天正式對外宣佈，其已開始大規模生產基於3nmGAA（Gate-all-around，環繞柵極）制程工藝技術的芯片，這也使得三星搶先臺積電成為瞭全球首傢量產3nm的晶圓代工企業。三星量產3nm GAA
高通公司已經醞釀重返三星懷抱，利用其代工廠大規模生產下一代驍龍芯片，同時也向臺積電進行雙重采購。傳言稱，這傢臺灣制造商的3納米工藝繼續出現延誤，這意味著三星明年在其3納米GAA架構上大規模生產驍龍8Gen2的機會
據報道，三星即將推出的GalaxyS25系列將堅持雙芯片組發佈策略，其中一些地區將提供Snapdragon8Gen4，而另一些地區將銷售Exynos2500版本。Exynos2400帶來一系列驚喜，因為該公司大幅改進其當前一代旗艦SoC。明年，三星有望更上一層樓
據外媒報道，三星將從2023年上半年開始大規模量產第三代4nm芯片，以奪回部分失去的客戶。據報道，該公司面臨的最大問題之一是良率問題，該問題導致其最大的客戶高通被臺積電搶走。外媒報道稱，高通不僅在驍龍8+ Gen 1的代
近日，三星Galaxy S23系列正式發佈，該系列全系搭載高通驍龍8 Gen2移動平臺，沒有Exynos版本。同時，S23系列搭載的驍龍8 Gen2為獨傢定制版本，不僅有著更高的頻率，還被命名為Qualcomm Snapdragon 8 Gen 2 Mobile Platform for Galaxy。雖然理論
近日，三星GalaxyS23系列正式發佈，該系列全系搭載高通驍龍8Gen2移動平臺，沒有Exynos版本。同時，S23系列搭載的驍龍8Gen2為獨傢定制版本，不僅有著更高的頻率，還被命名為QualcommSnapdragon8Gen2MobilePlatformforGalaxy。雖然理論上超頻是
能會轉而采用雙代工廠方式，因為據報道高通公司希望向三星及其臺灣半導體競爭對手同時發出訂單，這傢位於聖迭戈的芯片開發商已要求兩傢潛在夥伴公司提供2納米樣品，以便進一步評估。芯片組原型開發需要 6 至 12 個月的
續與臺積電的代工合作。（via WCCFTech）更何況根據高通與三星的協議，Galaxy S23 全系都將采用驍龍 8 Gen 2，而三星自傢的 Exynos 2300 SoC 或被徹底放棄。在 Twitter 上，@UniverseIce 繼續對三星芯片制造技術加以批評，聲稱其帶來災難性
這對兩傢公司來說是雙贏。郭明錤同時指出，高通一直是三星最先進工藝制程的客戶，此前的驍龍8、驍龍888等都是由三星代工，高通現在轉向臺積電意味著臺積電的先進工藝制程至少在2025年之前處於領先地位。從爆料不難看出
性能方面尋求臺灣晶圓制造廠臺積電的優勢技術，之前在三星4納米節點上大規模生產的驍龍8代中，過熱和降頻問題成群結隊出現。對於2023年，一份報告稱，高通的3納米芯片訂單將再次交給臺積電，但三星仍有機會重新加入供
工藝N3E，N3E是N3B的增強版，其功耗表現優於N3B工藝，並且良率更高、成本也相對較低。另外，高通驍龍8 Gen4將會啟用自研的Nuvia架構，不再使用Arm公版架構方案，這將是高通驍龍5G SoC史上的一次重大變化。數碼閑聊站透露，目前