第二代3nm GAA工藝將於2024年量產 高通或再次被三星吸引

比5nm功耗最高可降低45%，性能提升23%，面積減少16%，而第二代3nm工藝則功耗最高可降低50%，性能提高 30%，面積減少 35%。如上所述，和臺積電的工藝不一樣，三星3nm采用GAA晶體管，這開啟一個新時代。自 2019 年他們最初宣佈該技

月份三星就宣佈全球首發3nmGAA工藝，日前該公司又推出第二代3nm工藝，預計在2024年量產。三星的3nm工藝很激進，相比臺積電2nm工藝才會轉向GAA晶體管的保守，三星在第一代3nm工藝上就使用GAA晶體管技術，而且是MBCFET多橋通道場

降低45%的功耗，減少16%的面積，並同時提升23%的性能。第二代的3nm GAP工藝可以降低50%的功耗，提升30%的性能，同時面積減少35%，效果更好，預計2024年才能量產。此前消息，除三星自己要用之外，3nm工藝還鎖定四大客戶，包括IBM

開始大規模生產基於3nmGAA（Gate-all-around，環繞柵極）制程工藝技術的芯片，這也使得三星搶先臺積電成為瞭全球首傢量產3nm的晶圓代工企業。三星量產3nm GAA制程，上海磐矽為首批客戶2021年6月，三星就率先宣佈其基於GAA技術的3nm

積電的路上，三星又有新動作。前些天，三星宣佈將其第二代3nm制程工藝的命名改為2nm，並已經將此消息通知客戶和合作夥伴。去年，有報道稱該公司將更改該制程的名稱，現在，得到三星官方的確認。三星稱，該制程將在今年

Q2財報會議上，臺積電除公佈當季運營數據之外，還談到工藝進展，確認3nm工藝今年下半年量產，2nm則會在2025年量產。目前HPC高性能計算占臺積電營收的重要部分，對先進工藝要求也是很高的，臺積電的3nm工藝今年下半年量產，

集成電路研討會）上發表一篇論文，介紹在2納米（SF2）工藝中應用的第三代GAA特性。據報道，三星的2nm芯片將采用這種全柵極技術，因為該公司的代工部門計劃在2025年開始大規模生產2nm芯片。三星尚未在其 3nm GAA 節點上獲利，

效益，及客戶需求來決定下一步計劃。據解，臺積電的3nm工藝仍將采用FinFET晶體管的結構，而三星的3nm節點采用GAA晶體管架構。三星甚至領先於臺積電，將3nm工藝技術轉向量產。消息人士指出，AMD、蘋果、博通、英特爾、聯發科

可經過市場一番摸爬滾打之後，將會積累寶貴的經驗，第二代上可以真正發力。至於臺積電的3nm工藝，他們為客戶提供多達五種不同版本，是歷代工藝中最豐富的，包括N3、N3P、N3S、N3X、N3E等等，每種3nm工藝的技術優勢也不同。

降低45%的功耗，減少16%的面積，並同時提升23%的性能。第二代的3nm GAP工藝可以降低50%的功耗，提升30%的性能，同時面積減少35%，效果更好。再往後呢？三星也有計劃，3nm GAP工藝之後就會迎來2nm GAP工藝，也是基於納米片技術的GAA

電子巨頭三星開始如約向客戶交付其首批3nmGAA環柵晶體管工藝芯片。與此同時，為紀念這一具有裡程碑意義的時刻，該公司還專門舉辦一場慶祝活動。由官網新聞稿可知，本次儀式選在京畿道華城園區。除公司高管，還邀請多位

三星電子，然而三星在3nm工藝制程上落後臺積電，三星第二代3nm工藝最快要到2024年，因此蘋果A17將由臺積電代工。據悉，3nm是目前臺積電最先進的制程，相較於5nm，基於N3E工藝的芯片密度高出1.3倍，邏輯門密度增加1.6倍，在相

的典型企業，一個設計，一個生產，而且都聚焦先進制程工藝，珠聯璧合，成為當下半導體行業最搶眼的存在。相比之下，老牌的IDM企業，並穩定在各自領域內排名前三的企業，有兩大代表，一個是英特爾，一個是德州儀器（TI

，相比外界的傳聞而言沒有削減投資。在Q1季度中，先進工藝貢獻臺積電過半營收，其中7nm營收占比20%，5nm工藝出貨營收占比31%，二者合計超過51%，遙遙領先其他工藝。在更先進的工藝中，臺積電稱3nm工藝今年下半年會放量，同