3nm彎道超車臺積電之後 三星2nm工藝蓄勢待發

份額高達58.5%，三星位列第二，但份額隻有15.8%，三星想彎道超車臺積電，還有很長一段路要走。

讓三星追趕臺積電的急迫性很高，6月底終於在3nm工藝上彎道超車臺積電一次。之所以說彎道超車，是因為三星不僅在3nm量產時間上早於臺積電，而且還更激進地上GAA晶體管技術，放棄現在一直在用的FinFET晶體管，臺積電也要到20

宣佈量產3nm工藝，此舉也意味著三星在新一代工藝節點上彎道超車臺積電，後者預計今年下半年才會量產3nm工藝。3nm工藝的具體詳情還沒公佈，但是之前導致三星被質疑的良率問題應該已經解決，韓國分析師、HMC投資證券公司研

來自中國臺灣的研究員劉佩真表示，三星期望在3nmGAA制程彎道超車臺積電的意圖相當濃厚，不過三星仍未實際接獲3nm訂單，三星下周若宣佈量產3nm制程，宣傳意義應大於實質意義。目前臺積電在晶圓代工市場的份額高達53.6%，遠

昨天，世界著名的半導體巨頭三星，宣佈瞭一條大新聞。基於3納米（nm）制程的芯片，正式量產瞭！在紙面參數上，可謂是實現瞭質的飛躍——性能猛提30%，功耗猛降50%，面積也減少瞭35%。來源：新智元中間三位大咖抱的可不是

早前，英特爾曾經就自己的未來處理器架構和工藝發展公佈過路線圖，在英特爾的計劃中，將於2025年完成1.8nm制程的量產，並應用到18代酷睿處理器上。在3年內完成10nm到1.8nm的跨越，這個計劃聽起來就十分瘋狂，畢竟從14nm到10nm

廠，3nm上，三星投產最早，2nm上，Intel提前到2024年底，要彎道超車。

不太可能。三星領先臺積電跨入GAA架構Nanosheet制程，力圖彎道超車，不過，比較晶體管密度、性能、能耗後，同年內，三星的制程工藝都落後於臺積電，臺積電晶體管密度約是三星的1.5倍以上，;先進制程客戶數量方面，臺積電

的競爭已持續近十年，三星這次能否如願借助3nm工藝實現彎道超車，一舉趕超臺積電呢？答案可能很快就會揭曉。臺積電、三星的歷史恩怨臺積電和三星作為芯片代工廠，自身其實是不會進入芯片研發或銷售領域，以避免和客戶

這款設備首次采用蘋果M3芯片，這是行業內第一款采用3nm工藝制程的PC芯片，MacBook Air由此邁入3nm時代。資料顯示，蘋果M3芯片集成250億個晶體管，遠高於M2的200億個，單核性能比M2快17%，多核性能快21%，GPU性能提升15%。並且M3芯片

意的是，三星目標是在2025年迎頭趕上臺積電，2027年實現超車。傳聞三星將會在2025年量產2nm，2027年量產1.4nm，同時希望能拿到蘋果訂單。

在追趕臺積電的路上，三星又有新動作。前些天，三星宣佈將其第二代3nm制程工藝的命名改為2nm，並已經將此消息通知客戶和合作夥伴。去年，有報道稱該公司將更改該制程的名稱，現在，得到三星官方的確認。三星稱，該制程

近期，2nm等先進芯片發展備受行業關註。6月17日臺積電舉行的技術論壇上，晶圓代工龍頭臺積電（TSMC）首次披露，到2024年，臺積電將擁有阿斯麥（ASML）最先進的高數值孔徑極紫外（high-NAEUV）光刻機，用於生產納米片晶體管（GA

在9月份量產3nm工藝之後，臺積電下一代的工藝也已經在路上，2nm工藝未來兩年中將接替3nm工藝，這一代工藝也會放棄FinFET晶體管，跟三星、Intel一樣走向GAA環繞柵極晶體管技術。臺積電在6月份正式公佈2nm工藝，並透露一些技術