在9月份量產3nm工藝之後，臺積電下一代的工藝也已經在路上，2nm工藝未來兩年中將接替3nm工藝，這一代工藝也會放棄FinFET晶體管，跟三星、Intel一樣走向GAA環繞柵極晶體管技術。臺積電在6月份正式公佈2nm工藝，並透露一些技術細節，相比3nm工藝，在相同功耗下，2nm速度快10~15%；相同速度下，功耗降低25~30%。
不過在晶體管密度上，2nm工藝的提升就不那麼讓人滿意，相比3nm隻提升10%，遠低於以往至少70%的晶體管密度提升——按照摩爾定律來算，密度應該提升100%才算新一代工藝。
此外，臺積電2nm工藝的量產時間也要等到2025年下半年，這意味著終端產品出貨要等到2026年，升級周期也要比當前的節點慢不少。
2nm工藝到底為什麼密度提升有限？又有哪些首發客戶？這些關鍵問題還要臺積電解答，正好8月30日該公司還有技術論壇會議召開，2nm工藝勢必會是明天的焦點，臺積電屆時應該會公佈更多的細節信息。
今天的財報會上，臺積電不僅公佈Q3季度業績，同時也透露最新的工藝進展，3nm工藝的需求已經超過預期，明年會滿載量產，而2nm工藝也進度喜人，2025年量產。臺積電在6月份正式公佈2nm工藝，並透露一些技術細節，相比3nm工藝
今天的Q2財報會議上，臺積電除公佈當季運營數據之外，還談到工藝進展，確認3nm工藝今年下半年量產，2nm則會在2025年量產。目前HPC高性能計算占臺積電營收的重要部分，對先進工藝要求也是很高的，臺積電的3nm工藝今年下半年
臺積電今天上午舉行Q1季度財報會，營收5086.3億新臺幣，同比增3.6%，環比減18.7%，凈利潤2069億元新臺幣，同比增長2.1%，環比下降30%，超出市場預期，但這是4年來最小增幅。臺積電預計Q2季度銷售額152億美元至160億美元；預計第
und，環繞柵極）制程工藝技術的芯片，這也使得三星搶先臺積電成為瞭全球首傢量產3nm的晶圓代工企業。三星量產3nm GAA制程，上海磐矽為首批客戶2021年6月，三星就率先宣佈其基於GAA技術的3nm制程成已成功流片（Tape Out）。隨後
臺積電於今（12）日舉行法說會，在提問環節，臺積電CEO魏哲傢表示，公司正考慮在日本建設第二傢工廠，正考慮在歐洲建設汽車芯片廠，準備在2025年量產2nm芯片。去年12月，有消息稱臺積電就首傢歐洲工廠與供應商進行談判，
後一天，三星宣佈3nm工藝正式量產，這一次三星終於領先臺積電率先量產新一代工藝，而且是彎道超車，後者的3nm今年下半年才會量產。根據三星官方介紹，在3nm芯片上，其放棄之前的FinFET架構，采用新的GAA晶體管架構，大幅改
雖然臺積電3nm芯片已經量產，但截止昨天，我們都沒有看到芯片公司發佈相關產品。到今天，這個局面終於被打破。美國芯片公司Marvell表示，公司基於臺積電3納米(3nm)工藝打造的數據中心芯片正式發佈。據Marvell介紹，公司在該
近期，2nm等先進芯片發展備受行業關註。6月17日臺積電舉行的技術論壇上，晶圓代工龍頭臺積電（TSMC）首次披露，到2024年，臺積電將擁有阿斯麥（ASML）最先進的高數值孔徑極紫外（high-NAEUV）光刻機，用於生產納米片晶體管（GA
今天，臺積電總裁魏哲傢現身2022臺積電技術論壇，透露公司對於3nm架構和2nm架構的相關計劃。魏哲傢表示，臺積電3nm制程工藝將沿用FF架構，並即將量產；而至於萬眾矚目的2nm制程工藝，則保證能夠在2025年量產，並會是最領先
美國當地時間4月24日，臺積電在美國舉辦“2024年臺積電北美技術論壇”，披露其最新的制程技術、先進封裝技術、以及三維集成電路（3DIC）技術，憑借此領先的半導體技術來驅動下一代人工智能（AI）的創新。據解，臺積電在
LinkedIn上的一位蘋果員工透露，蘋果公司已經在設計使用臺積電下一代2納米制造工藝的芯片。這些信息最初由韓國網站gamma0burst捕獲，並由泄密者Revegnus（@Tech_Reve）在X（Twitter）上分享，信息出現在一張經過大量編輯的幻燈片中
三星半導體業務高管前幾天表態要用5年時間趕超臺積電，實現這個目標就離不開先進工藝，去年6月份三星就宣佈全球首發3nmGAA工藝，日前該公司又推出第二代3nm工藝，預計在2024年量產。三星的3nm工藝很激進，相比臺積電2nm工藝
在全球晶圓代工市場上，臺積電與三星是遙遙領先其他廠商的，7nm以下的工藝隻有他們玩得轉，而且臺積電最近幾年也全面領先三星，這讓三星追趕臺積電的急迫性很高，6月底終於在3nm工藝上彎道超車臺積電一次。之所以說彎
據臺媒，晶圓代工廠臺積電2nm制程將於2025年量產，市場看好進度可望領先對手三星及英特爾。臺積電先進制程進展順利，3nm將在今年下半年量產，升級版3nm（N3E）制程將於3nm量產一年後量產，即2023年量產，2nm預計於2025年量產。