臺積電2nm工藝好於預期:功耗直降30% 2025年量產


今天的財報會上,臺積電不僅公佈Q3季度業績,同時也透露最新的工藝進展,3nm工藝的需求已經超過預期,明年會滿載量產,而2nm工藝也進度喜人,2025年量產。臺積電在6月份正式公佈2nm工藝,並透露一些技術細節,相比3nm工藝,在相同功耗下,2nm速度快10~15%;相同速度下,功耗降低25~30%。

不過在晶體管密度上,2nm工藝的提升就不那麼讓人滿意,相比3nm隻提升10%,遠低於以往至少70%的晶體管密度提升,這可能是臺積電首次在2nm工藝上放棄FinFET晶體管,改用GAA晶體管所致,第一代工藝會保守一些。

根據臺積電CEO魏哲傢的說法,2nm工藝的進展很順利,甚至超過預期,不過他們現在的計劃依然是2025年量產,沒打算提前。

臺積電的2nm工藝應該還是會由蘋果首發,今年的A16是4nm,明年的A17及後年的A18應該都是3nm,2025年的A19芯片才有可能用上2nm工藝。


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