行業消息來源稱，三星公司將在"VLSISymposium2024"（2024年超大規模集成電路研討會）上發表一篇論文，介紹在2納米（SF2）工藝中應用的第三代GAA特性。據報道，三星的2nm芯片將采用這種全柵極技術，因為該公司的代工部門計劃在2025年開始大規模生產2nm芯片。
三星尚未在其 3nm GAA 節點上獲利，這主要歸功於其產量低，導致與其他公司的合作不可行。
根據最新報道，這傢半導體制造商的目標是推出該技術的三個迭代版本，類似於臺積電在自己的3nm 節點上所做的那樣，從蘋果公司專用的"N3B"開始。三星實現柵極全方位技術的商業化，該技術具有多項優勢。例如，它可以調節、放大和控制半導體內的電流。
隨著芯片體積越來越小，控制電流變得越來越困難，但 GAA 通過重新設計晶體管結構來提高能效，從而解決這一問題。盡管有這些優勢，但三星在爭取各種客戶供應晶圓方面基本上都不成功，因為它不斷遇到產量問題。再加上高昂的生產成本，該公司的潛在客戶並不看好這種合作關系。
此前，我們曾報道三星的 3 納米 GAA 良率僅為可怕的 20%，但這傢代工巨頭已經成功扭轉局面，使這一數字達到原來的三倍。不過，在整體良率方面，三星仍落後於臺積電，因此高通（Qualcomm）和聯發科（MediaTek）隻對這傢臺灣半導體公司的技術表現出信心也就不足為奇。三星在其 GAA 工藝中開發一種名為"MBCFET"的專有技術，每一次 3 納米迭代都會帶來性能和效率的提升。
三星已計劃推出其 3 納米 GAA 技術的第三次迭代，據說該技術可將功率損耗降低 50%以上，並因面積縮小而實現更高的集成度。也許通過未來的研究，三星可以提高產量，使其達到足夠高的數字，從而使客戶開始對 3 納米 GAA 和 2 納米 GAA 版本產生興趣。