據臺灣行業媒體DigiTimes報道,臺積電的尖端2納米EUV代工節點預計將於2024年第四季度進入風險產品階段。2納米將是該代工公司的一個重要裡程碑,因為這將是該公司首次采用GAA(柵極環繞)場效應晶體管。
這是 FinFET 的後繼技術,FinFET 推動矽制造節點從 16 納米到 3 納米近十年的發展。GAAFET 技術對於代工廠在 2 納米和 1 納米之間的發展至關重要。
臺積電預計將在位於臺灣北部新竹科學園區寶山園區的新晶圓廠冒險生產 2 納米節點的芯片。如果風險生產一切順利,預計將於 2025 年第二季度實現芯片量產。
在此之前,該公司最終 FinFET 節點 N3 系列的改進仍將是矽制造的最前沿。三星也為其 2 納米節點(被稱為 SF2)的量產設定類似的 2025 年目標。
在太平洋彼岸,英特爾代工服務公司的英特爾 20A 節點采用 GAAFET(又稱 RibbonFET)技術,其目標時間類似,包括雄心勃勃的 2024 年量產目標。