根據臺灣媒體的報道，臺灣半導體制造公司（TSMC）的目標是在2025年量產其2納米（nm）半導體制造工藝。臺積電目前正準備加大其3納米節點的生產，這被認為是世界上最先進的芯片制造技術之一，公司代表向臺灣媒體表示，它將繼續通過下一代技術引領全球半導體行業。
臺積電還將在2024年收購ASML的高NA EUV芯片制造機。這些細節是由臺積電負責研發和技術的高級副總裁Y.J. Mii博士分享的，由聯合新聞（UDN）報道。芯片制造行業的一個關鍵制約因素，也往往成為決定一傢公司是否能獲得對其競爭對手的領先優勢的關鍵因素。
涵蓋先進的7納米和更小產品的制造技術需要使用極紫外光刻機（EUV）在小范圍內打印數十億個微小電路，全球目前隻有臺積電、三星和英特爾公司在使用--然而，芯片制造技術的進一步進步，涉及到電路尺寸的進一步縮小，將使芯片制造商難以繼續使用這些機器。
芯片制造的下一階段，制造商將轉向具有更大鏡頭的機器。這些被稱為高NA（數字孔徑），臺積電將在2024年收到它們。由此看來，這些機器將被用來制造2納米制造工藝的芯片，因為這位高管還強調，這項技術將在2025年進入大規模生產。該時間表證實該公司在今年早些時候在美國舉行的第一次技術研討會上提供的早期估計，該公司正在美國建設一個全新的工廠，暫定目標是在2024年前生產5納米芯片。
自從在美國舉辦會議以來，臺積電還在亞洲舉行其他活動以分享2納米制造技術的細節。這些活動顯示，截至目前，該公司的目標是使其新技術比目前最新的3納米技術提高10%至15%的性能；此外，新技術還能降低25%至30%的功耗。
另一位臺積電高管透露，當他的公司在2024年獲得這些機器時，最初它們將隻用於研發和合作目的，然後再轉入大規模生產。獲得先進的機器隻是獲得這些有價值的資本資產的第一步，因為企業隨後必須與機器的唯一制造商--荷蘭ASML公司合作，將機器調整到他們想要的要求。
這些最新的細節是在本月早些時候舉行的臺積電臺灣技術論壇上由高管們分享的，在該活動中，他們還概述3納米芯片制造的進展。他們概述第一代3納米技術有望在今年生產，而被稱為N3E的先進版本將在明年投入生產線。
臺積電的3納米技術今年一直處於幾個爭議的中心，因為它的競爭對手三星公司搶先宣佈在今年上半年進行大規模生產，而且市場報告稱，由於英特爾公司的訂單問題，臺積電將削減資本支出。