2021年10月，英特爾首席執行官帕特·基辛格表示，英特爾將在2025年之前從臺積電和三星代工手中奪回工藝領先地位。英特爾希望在行業代工領域挑戰臺積電和三星代工。合同代工廠從無晶圓廠芯片設計師那裡獲取芯片設計（無晶圓廠意味著他們不擁有制造設施，例如蘋果）並制造芯片。臺積電是全球領先者，其次是三星代工廠。
目前，臺積電和三星代工都在出貨3nm芯片，明年下半年，兩傢公司都可能量產2nm芯片。據Motley Fool報道，今年晚些時候，英特爾將使用其 20A 工藝（相當於臺積電和三星代工廠的 2 納米），該工藝將用於制造英特爾的 Arrow Lake PC 芯片。因此，到那時，英特爾將擁有工藝領先地位，並且隻有在明年英特爾推出其 18A 工藝節點（與臺積電和三星代工廠相比時相當於 1.8 納米）時，這種領先地位才會持續下去。後兩者將於明年下半年推出 2nm 節點。
英特爾的工藝節點將從今年的20A增加到2027年的14A
預計到 2027 年，當英特爾的 14A（1.4 納米）加入臺積電和三星代工廠的 1.4 納米產量時，所有人都將迎頭趕上。最重要的是，隨著工藝節點的縮小，這些芯片所使用的晶體管的尺寸會變得更小。這意味著一個組件內可以安裝更多晶體管。芯片內的晶體管越多，通常芯片的功能就越強大和/或能效越高。
但從今年晚些時候的 20A 生產開始，英特爾將憑借美國芯片制造商稱為 PowerVia（也稱為背面供電）的關鍵功能，在臺積電和三星代工廠方面領先一些。臺積電預計將在其 N2P 節點中使用這項技術，該節點將於 2026 年開始使用。三星代工預計將在明年推出的特定節點上使用背面供電，盡管三星代工尚未證實這一點。
那麼PowerVia是什麼？大多數為芯片供電的小電線都位於構成矽元件的所有層的頂部。隨著這些芯片變得越來越強大和復雜，頂部連接電源的電線正在與連接組件的電線競爭。這導致電力浪費和效率低下。
PowerVia 將給芯片供電的電線移動到芯片的背面。因此，時鐘速度可提高 6%，從而提高性能。再加上使用更先進的工藝節點帶來的性能提升，其結果是使用更強大的芯片來運行更強大的設備。
英特爾率先接收其高數值孔徑極紫外光刻機
英特爾首席執行官基辛格表示，“我把整個公司的賭註都押在18A上。” 英特爾預計其18A節點的性能和效率將超過臺積電的最佳水平。英特爾還與 Arm 簽署一項協議，允許 Arm 的芯片設計客戶擁有使用英特爾 18A 工藝節點構建的低功耗 SoC。上個月，英特爾同意使用其 18A 工藝為微軟打造定制芯片。四傢未透露姓名的大公司（尚不清楚微軟是否是這四傢公司之一）已簽約讓英特爾使用 18A 工藝生產其芯片。