1月26日，據日經新聞報道，日本半導體企業Rapidus計劃最早在2025年上半年之前建立2納米半導體試產線，並最快於2027年實現量產，以盡快追上臺積電等世界級半導體廠商的步伐，而後者計劃將於2025年量產2nm制程工藝。
Rapidus成立於2022年8月，由豐田、Sony、NTT、NEC、軟銀（Softbank）、Denso、鎧俠（Kioxia）、三菱UFJ等8傢日企共同出資設立，出資額為73億日圓，另外日本政府也提供700億日圓補助金，做為其研發預算。
Rapidus旨在大規模生產2納米制造技術，目前量產產品已推進到3納米。雖然臺積電、三星等公司都已量產3納米制程工藝，但日本工廠目前隻能生產40納米產品。可見Rapidus的成立的目的就是要提高日本當地的半導體制造水平。
近兩年，日本政府不斷反思本國半導體產業何以陷入失去的30年”。30年前，日本半導體銷售額曾經占據全球半壁江山，而今隻剩下不到10%。 2021年12月，日本國會通過《半導體支援法》，計劃撥出6170日元的預算，用以支持在日本本地研發和制造芯片的企業。
在追趕臺積電的路上，三星又有新動作。前些天，三星宣佈將其第二代3nm制程工藝的命名改為2nm，並已經將此消息通知客戶和合作夥伴。去年，有報道稱該公司將更改該制程的名稱，現在，得到三星官方的確認。三星稱，該制程
憑借架構和設計創新，以及合作夥伴臺積電的制程優勢，快速逆襲，搶奪大量原本屬於英特爾的CPU市場份額。與此同時，GPU在AI領域的重要性不斷凸顯出來，而臺積電的制程工藝優勢依然發揮著關鍵作用，相反，在那段時期，英
的A17仿生芯片，這是蘋果首款3nm制程工藝的芯片。據解，臺積電在進行3nm制程工藝代工的同時，也會重點推進他們更先進的2nm制程工藝的研發及量產。目前，臺積電的2nm工藝技術研發已經基本完成，將首次上馬GAA全環繞柵極技術
玩得轉，而且臺積電最近幾年也全面領先三星，這讓三星追趕臺積電的急迫性很高，6月底終於在3nm工藝上彎道超車臺積電一次。之所以說彎道超車，是因為三星不僅在3nm量產時間上早於臺積電，而且還更激進地上GAA晶體管技術
ASML下一代EUV光刻機。更早之前，英特爾CEO基辛格為瞭能追趕臺積電、三星，不止是投資入股阿斯麥公司，還提早花高價訂購EUV光刻機制造產能。據ASML公佈的數據，新的EXE:5000系列high-NA EUV光刻機，鏡頭數值孔徑從0.33NA變為0.55NA，
推動本土企業追趕世界先進水平，比如幫助本土創業公司Rapidus在北海道建立2nm工藝生產線。對於熊本縣來說，能得到臺積電如此青睞，無疑會讓當地經濟有一個巨大的飛躍，預計其GDP 2035年可達75萬億日元左右，比想現在增加足
nso、鎧俠（Kioxia）、三菱UFJ等企業在日本政府支持下成立Rapidus公司。Rapidus又聯合美國IBM、歐洲IMEC微電子中心等，計劃直接搞定2nm工藝，最快在2025年量產，2025到2030年的幾年中則會給其他企業提供代工服務。為扶持Rapidus，日本
機會。臺積電與英特爾將在2nm引入GAA技術一直以來，為瞭追趕臺積電，三星在先進制程的推進上一直都比較激進。相比之下，作為業界龍頭的臺積電則一直比較穩健。臺積電在3nm制程工藝上並沒有選擇GAA架構的晶體管，而是依然
nso、鎧俠（Kioxia）、三菱UFJ等企業在日本政府支持下成立Rapidus公司。Rapidus又聯合美國IBM、歐洲IMEC微電子中心等，計劃直接搞定2nm工藝，最快在2025年量產，2025到2030年的幾年中則會給其他企業提供代工服務。此前日本政府已經給
還需要進行更大膽、更長遠的決策，需要完善其他措施來快速接替產業的發展。畢竟，相對於設廠隻是資本支出而言，工程師人才的穩定才是重中之重。
。日前至少8傢日本公司已經聯合投資成立新公司，名為Rapidus，由日本東京電氣（Tokyo Electro，全球半導體設備大廠）的前社長東哲郎等人主導，吸引日本豐田、索尼、鎧俠、NEC、軟銀、電裝等8傢公司聯合投資，每傢出資10億日元
。有業內人士表示，三星推動EUV薄膜的開發，是為更快的追趕上臺積電。
座上賓”。加之日本政府還扶持一傢本土“芯片國傢隊”Rapidus，在著力2nm工藝量產。在一系列組合拳的帶動下，日本在先進工藝也漸呈“後來居上”之勢。眾所周知，在臺積電投資日本前，該國能生產的最先進工藝制程僅為40nm
合作開發1nm制程半導體。具體來看，是日本芯片制造商 Rapidus、東京大學將與法國半導體研究機構Leti合作，共同開發電路線寬為1nm級的新一代半導體設計的基礎技術。法國的CEA-Leti成立於1967年，該研究所的前身是成立於1957年的CE