傳臺積電計劃在美國建第二座新廠 擬切入3納米制程


據鉅亨網消息,臺積電近期傳出將展開評估在美投資興建第二座晶圓廠,擬切入3納米制程,建廠時程約2年後。對此,臺積電8月19日表示,不回應市場傳聞。此前,臺積電美國亞利桑那州5納米新廠,已於7月底上梁,預計一期於2024年量產,第一期月產能2萬片。

不過,由於臺積電亞利桑那州廠土地面積廣大,占地約445公頃,先前就多次傳出,臺積電將擴大亞利桑那州投資計劃,預計建6座晶圓廠。

臺積電總裁魏哲傢去年也曾說,臺積電已在亞利桑那州取得大范圍土地,以維持彈性,進一步擴建是有可能的,但首要任務是使第一期廠房順利量產,接著根據營運效率、成本效益,及客戶需求來決定下一步計劃。

據解,臺積電的3nm工藝仍將采用FinFET晶體管的結構,而三星的3nm節點采用GAA晶體管架構。三星甚至領先於臺積電,將3nm工藝技術轉向量產。

消息人士指出,AMD、蘋果、博通、英特爾、聯發科、英偉達和高通等廠商均已向臺積電下達3nm芯片訂單。但三星的3nm GAA工藝尚未吸引主要芯片供應商的訂單。

(校對/李杭森)


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