快科技1月22日消息，高通將在今年10月份推出驍龍8 Gen4，對比上代平臺，驍龍8 Gen4有大幅升級。
最重要的是升級點之一是工藝，驍龍8 Gen4移動平臺首次采用臺積電3nm工藝，這意味著安卓陣營也將全面迎來3nm時代。
與蘋果A17 Pro采用N3B工藝不同，高通驍龍8 Gen4采用臺積電N3E工藝，據解，臺積電N3E不僅良率更高，而且成本也相對較低（消息稱天璣9400也是采用N3E工藝）。
相比之下，蘋果A17 Pro和M3芯片采用N3B工藝，成本更高且良率堪憂。
值得註意的是，高通驍龍8 Gen4的CPU核心將不再使用Arm公版架構，而是采用自主研發的Nuvia架構，並且得益於臺積電3nm工藝，預計其CPU和GPU性能將顯著提升。
按照傳統慣例，驍龍8 Gen4將會被應用到小米15系列、三星Galaxy S25系列等機型中。
電3nm工藝制程打造，是高通第一款3nm手機芯片，這意味著安卓陣營正式步入3nm時代。並且驍龍8 Gen4放棄Arm公版架構設計方案，采用自研Oryon內核，包含2個Nuvia Phoenix性能核心和6個Nuvia Phoenix M核心，性能會有大幅提升。按照慣例，
透露，高通驍龍8 Gen4將首次采用臺積電3nm工藝，這意味著安卓陣營正式邁入3nm時代。早在去年，蘋果率先切入3nm工藝，首顆3nm芯片是A17 Pro，由iPhone 15 Pro和iPhone 15 Pro Max首發搭載。據悉，臺積電規劃多達五種3nm工藝，分別是N3B、N3
變化。按照慣例，高通驍龍8 Gen4將會在2024年Q4登場，屆時安卓陣營旗艦將會集體邁進3nm時代。
悉，高通驍龍8 Gen4將首次采用臺積電3nm工藝，這也意味著安卓陣營正式邁入3nm時代。去年，蘋果率先切入3nm工藝，A17 Pro成為全球首顆3nm芯片，由iPhone 15 Pro和iPhone 15 Pro Max首發搭載。據爆料，臺積電規劃多達五種3nm工藝，包括N3B
6月15日消息，近日，知名分析師郭明錤給出的報告顯示，安卓手機接下來要面臨漲價潮。天風國際證券分析師郭明錤發佈報告指出，2H24量產的SM8750 （Snapdragon 8 Gen 4）報價約較目前的旗艦芯片SM8650（Snapdragon 8 Gen 4）高25%-30%至190-20
。此外，驍龍8 Gen4將首次采用臺積電3nm工藝，這也意味著安卓陣營邁入3nm時代。據高通官方消息，今年的驍龍峰會將於10月21日-10月23日在夏威夷毛伊島舉行，屆時也將揭曉首發機型。不出意外的話，這次依然是小米15系列拿下全
N3E），這將是聯發科首款采用3nm工藝的手機芯片，意味著安卓陣營正式步入3nm時代。在CPU方面，天璣9400將采用1+3+4的三叢集方案，首次引入Arm最新一代Cortex-X5超大核，由一個Cortex-X5、三個Cortex-X4和四個Cortex-A720核心組成，旨在進
出約10%，預計量產版本跑分會再創新高。該處理器也將是安卓陣營最強悍的手機芯片，按照慣例，今年年底登場的小米15系列、一加13系列、Redmi K80系列、三星Galaxy S25系列等旗艦機型都將搭載該芯片。
出約10%，預計量產版本跑分會再創新高。該處理器也將是安卓陣營最強悍的手機芯片，按照慣例，今年年底登場的小米15系列、一加13系列、Redmi K80系列、三星Galaxy S25系列等旗艦機型都將搭載該芯片。
快科技5月25日消息，手機晶片達人爆料，高通驍龍8 Gen4基於臺積電3nm工藝制程打造。目前手機廠商已經在測試驍龍8 Gen4，從各傢跑分來看，驍龍8 Gen4領先對手聯發科天璣9400，但是後者勝在更省電。據悉，驍龍8 Gen4最大變化是采
核架構等方面優勢，以220萬分的成績霸榜旗艦性能，成為安卓第一。按照慣例，天璣9400將會在今年下半年登場，最新的規格已經曝光。據博主數碼閑聊站爆料，天璣9400目前測試的樣片是1*X5迭代超大核+3*X4超大核架構，相比9300升
3nm工藝制程打造，這是聯發科第一款3nm手機芯片，標志著安卓陣營正式邁入3nm時代。這顆芯片集成Immortalis G9系列GPU，CPU設計性能單核成績2700分、多核9800分。作為對比，蘋果A17 Pro多核成績在7500分左右，遠不及天璣9400的性能表現
，這個內插幀方案的延遲遠低於目前廠商采用的外掛獨顯芯片方案，媲美原生高幀率，屆時驍龍8 Gen4終端將全系支持這項新技術。值得註意的是，高通現有的驍龍8 Gen3、驍龍8s Gen3平臺通過升級更新也會支持這項技術。根據高通
道，三星完整的3nm GAA晶圓很難生產，並且良率隻有50%，芯片成本相比70%良率高40%。而臺積電規劃的3nm工藝共有5種，分別是N3B、N3E、N3P、N3S和N3X，其中N3B是其已經量產的首個3nm節點，良率達到70%-80%左右。N3E則是N3B的增強版，但從