隨著半導體工藝進入7nm以內,EUV光刻機是必不可少的關鍵設備,全球隻有ASML公司能生產,現在NA0.33孔徑的EUV光刻機售價高達1.5億美元,約合10億一臺,不過下一代會更貴。
光刻機制造芯片的關鍵指標就是光刻分辨率,其中鏡頭的NA數值孔徑越大越好,現在NA 0.33孔徑的EUV光刻機能夠量產3nm、2nm工藝,再往後就需要NA 0.55孔徑的下一代光刻機,也就是High NA EUV,制造2nm以下的工藝必需。
High NA EUV預計在明年開始出樣機給客戶,這一次Intel先下手為強,搶購首批的High NA EUV光刻機,據說單價超過3.4億美元,約合25億。
但High NA EUV的最終價格還不確定,未來可能達到4億美元,超過28億人民幣。
High NA EUV光刻機不僅是本身昂貴,使用成本也越來越高,因為功耗還會繼續漲,ASML最近證實High NA EUV光刻機會額外消耗0.5WM功耗,加上目前的1.5MW功耗,下一代光刻機的總功耗將達到2MW,也就是200萬瓦的水平。
如果一天24小時運轉,那麼下代光刻機每天就要消耗4.8萬度電,這個成本對芯片制造企業來說是非常高的,絕對的電老虎。