ASML最先進EUV光刻機今年訂單已經被Intel包攬，其單臺售價超過25億元。據悉，ASML截至明年上半年最先進EUV設備的訂單已經由英特爾承包，而今年計劃生產的五套設備也將全部運給這傢美國芯片制造商。
按照消息人士的說法，由於上述EUV設備產能每年約為5到6臺，這意味著英特爾將獲得所有初始庫存。
這也導致，英特爾的競爭對手三星和 SK 海力士預計將在明年下半年才能獲得該設備。
High-NA EUV光刻機能夠在半導體上蝕刻出僅8nm寬的線條，是上一代產品的1/1.7。
更細的線條意味著芯片可以容納更多的晶體管，從而實現更快的處理速度和更高的存儲容量，這對於人工智能工作負載至關重要。
這臺EUV已於去年年底運抵其位於俄勒岡州的D1X工廠，英特爾計劃在2025年年底開始使用該系統進行生產。
快科技6月17日消息，在半導體工藝進入7nm節點之後，EUV光刻機是少不的關鍵設備，目前隻有ASML能制造，單臺售價10億人民幣，今年底還會迎來下一代EUV光刻機，價格也會大漲。光刻機的分辨率越高，越有利於制造更小的晶體管，
也更加迫切。帕特·基辛格，圖/英特爾此外，由於臺積電最先進工藝的產能通常比較緊張、價格以及芯片行業的逆全球化進程等因素，英特爾先進工藝的需求也在推進，包括 Intel 3、20A 都拿到客戶訂單。而在三傢中，英特爾由於
EUV光刻機是半導體制造中的核心設備，隻有ASML公司才能生產，單臺售價約10億人民幣，之前三星、臺積電等公司還要搶著買，然而今年半導體形勢已經變，EUV光刻機反而因為耗電太多，臺積電計劃關閉省電。來自產業鏈的消息人
（TSMC）首次披露，到2024年，臺積電將擁有阿斯麥（ASML）最先進的高數值孔徑極紫外（high-NAEUV）光刻機，用於生產納米片晶體管（GAAFET）架構的2nm（N2）芯片，預計在2025年量產。與此同時，6月初被美國總統拜登亞洲行接見後，
額69.77億歐元環比增長21%。本季度中，ASML公司出貨12臺EUV光刻機，比Q1季度的3臺大幅增長，之前因為種種原因限制出貨。值得一提的是，在本季度中，ASML公司下一代的高NA孔徑EUV光刻機獲得重大突破，已經收到來自供應商的物鏡
這些新的出口管制措施側重於先進的芯片制造技術，包括最先進的沉積設備和浸潤式光刻系統。ASML強調，新的出口管制措施並不針對所有浸潤式光刻系統，而隻涉及所謂“最先進”的浸潤式光刻系統。截至目前企業尚未收到有
隨著半導體工藝進入7nm以內，EUV光刻機是必不可少的關鍵設備，全球隻有ASML公司能生產，現在NA0.33孔徑的EUV光刻機售價高達1.5億美元，約合10億一臺，不過下一代會更貴。光刻機制造芯片的關鍵指標就是光刻分辨率，其中鏡頭的
營收區間的中間值，毛利率高於預期，主要原因是浸潤式光刻機、EUV業務收入更高，當季售出光刻機共70臺，其中全新66臺、二手4臺，同時新增訂單金額為36億歐元，其中6.56億歐元訂單來自EUV業務。過去半年累計新增訂單金額近1
2023年10月，日本光刻機大廠佳能（Canon）正式發佈基於納米壓印技術（NIL）的芯片制造設備FPA-1200NZ2C，預計為小型半導體制造商在生產先進制程芯片方面開辟出一條全新的路徑。近日，佳能負責新型納米壓印設備開發的高管武石
備制造商阿斯麥（ASML）2月10日向媒體展示新一代極紫外光刻機（EUV），型號為：TWINSCANEXE:5000。這臺光刻機大小約一輛雙層巴士，重量約兩架空客A320飛機、價值高達3.5億歐元（約合27億元人民幣）。該設備對ASML在1250億美元的EUV
刷機的套印精度大概是0.05mm，據說這樣就夠騙過人眼，而最先進的光刻機overlay精度是<1nm，兩者差5萬倍。早期光刻機的原理和印刷確實也是一毛一樣的，有圖案和沒圖案的地方通過光敏膠曝光再刻蝕分開，多次曝光要對齊，所
備大廠ASML秀出價值高達3.5億歐元的HighNA極紫外光（EUV）光刻機設備，除英特爾率先取得設備之外，臺積電及三星訂購的新機器預計最快2026年陸續到位，屆時HighNAEUV機器可望成為全球三大晶圓制造廠搶進2納米以下先進制程的必備
今年是光刻設備領先供應商阿斯麥（ASML）第五次參加進博會，公司將以“光刻未來，攜手同行”為主題，亮相國傢會展中心技術裝備展區集成電路專區，並首次以互動視頻的形式帶領觀眾深度解ASML包括光刻機臺、計算光刻以及
ASML表示，盡管尚未收到有關“最先進”的確切定義的信息，但是公司將其解讀為“關鍵的浸潤式光刻系統”，即TWINSCANNXT：2000i及後續推出的浸潤式光刻系統。3月9日上午，荷蘭光刻機巨頭阿斯麥（ASML）發佈聲明表示，ASML預計必