臺積電CTO預計高NA光刻後時代的芯片制造成本會暴漲

臺高NAEUV極紫外光刻機，將用於2nm工藝以下芯片的制造，臺積電、三星未來也會陸續接收，可直達1nm工藝左右。那麼之後呢？消息稱，ASML正在研究下一代HyperNA(超級NA)光刻機，繼續延續摩爾定律。ASML第一代Low NA EUV光刻機隻有0.33

近期，2nm等先進芯片發展備受行業關註。6月17日臺積電舉行的技術論壇上，晶圓代工龍頭臺積電（TSMC）首次披露，到2024年，臺積電將擁有阿斯麥（ASML）最先進的高數值孔徑極紫外（high-NAEUV）光刻機，用於生產納米片晶體管（GA

紫外光（EUV）光刻機設備，除英特爾率先取得設備之外，臺積電及三星訂購的新機器預計最快2026年陸續到位，屆時HighNAEUV機器可望成為全球三大晶圓制造廠搶進2納米以下先進制程的必備武器。媒體報道，ASML近期對外秀出High NA E

ASML在2012年走上絕路的標志，就是它把當年早些英特爾、臺積電和三星購買其23%股份時承諾的研發投入17億美元，自己再加9億一股腦全用在高溢價收購激光光源供應商Cymer身上。工程師們用激光轟擊液體錫滴，但錫滴是球型的，

在開始使用阿斯麥首款極紫外光刻機上卻晚於其競爭對手臺積電。英特爾首席執行官帕特·蓋爾辛格（Pat Gelsinger）承認，這是一個嚴重的失誤。與此同時，英特爾專註於所謂的“多重曝光”技術的開發，其本質是使用分辨率較低

MC）的目標是在2025年量產其2納米（nm）半導體制造工藝。臺積電目前正準備加大其3納米節點的生產，這被認為是世界上最先進的芯片制造技術之一，公司代表向臺灣媒體表示，它將繼續通過下一代技術引領全球半導體行業。臺

快科技6月30日消息，據媒體報道，臺積電正全力以赴，加速安裝對2nm工藝量產至關重要的EUV光刻機。為滿足這一高端生產需求，臺積電計劃在今明兩年接收超過60臺EUV光刻機，預計投資總額將超過123億美元（折合人民幣約894億元

一代EUV光刻機的，首批4臺應該都是他們的，不過三星及臺積電也下單，後面也會角逐新一代工藝。

據semiwiki報道，在最近的VLSI技術與電路研討會上，臺積電研發高級副總裁YJMii博士發表題為“SemiconductorInnovations,fromDevicetoSystem”的演講。該演示文稿提供對臺積電未來研發計劃的見解，超越當前的路線圖。還強調正在研究的技術

有更強大的計算光刻很難實現這樣復雜的掩模版設計。像臺積電這樣的代工廠需要有大量的數據中心來處理相關計算和仿真運行，代工廠的數據中心通常是以CPU為核心。下圖是Vivek Singh估算的每年CPU工作的小時數，左側y軸顯示隨

值孔徑客戶都將使用該系統來盡早進行工藝開發。”雖然臺積電和Rapidus似乎並不急於采用高數值孔徑EUV光刻系統進行量產，但他們仍然必須在未來的某個時候這樣做，這就是為什麼ASML對這項技術的未來持樂觀態度。事實上，全

科技股，市值超過3500億美元。英特爾市值已遠遠落後於臺積電、英偉達那麼，美國是如何拱手讓出這一關鍵技術的控制權的呢？其中部分原因是，隻有相對較少的芯片行業高管認為EUV可行。另一個原因是：美國當時的長期芯片

Intel已於日前接受ASML的第一臺新一代高NAEUV光刻機，但是臺積電一直不為所動，可能要到1nm工藝時代才會跟進。Intel計劃將高NAEUV光刻機用於Intel18A後的制程節點，也就是超過1.8nm，時間大概在2026-2027年。Intel此前公佈的路線圖上，

ASML 是全球唯一一傢有能力制造先進 EUV 光刻機的公司，臺積電、三星、英特爾想要蘋果、高通等芯片設計公司制造先進制程工藝的芯片，就必須使用該公司的 EUV 光刻機。而在實際情況中，EUV 光刻機的結構之復雜、精密度之高