SK海力士在近日舉行的二季度財報電話會議上透露，計劃在年內完成238層NAND試產，並在2023年上半年實現量產。針對美光近期量產232層NAND的動態，海力士方面表示各傢廠商產品發佈節奏不同，存儲市場目前應專註於提高盈利能力，海力士的目標是實現行業最高水平的盈利能力。
公司方面還表示，計劃今年年底實現主力產品176層4D NAND以晶圓形式出貨占比70%，以進一步提升毛利率。
針對DRAM市場行情，海力士方面表示，盡管目前DRAM的平均售價（ASP）走低，但成本下降足以彌補ASP變化，公司方面預計今年DRAM出貨量將增加約10%，NAND閃存出貨量增加20%。
韓國SK海力士（SKHynix）已經開發出238層NAND閃存芯片，它可以用於PC存儲設備、智能手機和服務器。上周美光也開始出貨232層NAND閃存芯片。SK海力士宣稱新的238層芯片是最小的NAND閃存芯片，數據傳輸速度相比上代產品提升50%，讀
SK海力士將把目前最高的238層NAND（V8）應用於新一代內置閃存UFS（通用閃存）的最新規格產品，預計最早明年上半年可以量產。UFS是應用國際半導體標準化機構JEDEC的內置存儲器接口的閃存，這是為智能手機、平板電腦等移動傢
快科技8月9日消息，日前SK海力士宣佈全球首發321層堆棧的4D閃存，這也是閃存首次提升到300層以上，核心容量1Tb，TLC類型。在堆棧層數上，SK海力士的4D閃存因為架構不同，相比其他傢來說堆棧層數占優一些，比如之前美光及國
近日，芯片分析機構TechInsights對長存（YMTC）、三星、SK海力士和美光最新的NANDFlash閃存芯片進行比較，主要對比芯片尺寸、存儲密度、有源層、字線間距等因素。三星一直憑借其超高縱橫比 (UHAR) 孔蝕刻實現的單層工藝主導128層3
快科技5月9日消息，SK海力士今日宣佈，已成功開發出新一代移動端NAND閃存解決方案產品ZUFS 4.0”，專為端側AI手機優化。SK海力士表示，ZUFS 4.0是業界最高性能的移動端NAND閃存解決方案，它通過區分數據特性進行管理，與現有UFS
顯示，截至2021年，三星在DRAM市場份額為42.7%，其次是SK海力士的28.6%和美光的22.8%；NAND閃存方面，截至2022年Q2，三星電子擁有33.9%的市場份額，位列全球第一；通過收購Intel NAND Flash閃存業務，SK海力士組建新公司Solidigm，市場份額
。為強調該原型的改進所帶來的性能提升，該原型與SK海力士之前保持紀錄的第七代238層3D NAND進行比較。新的第八代3D NAND公佈的帶寬數據最大為194 MB/s，與舊型號的164 MB/s形成鮮明對比，意味著性能增加18%。記錄密度也得益於300
月8日至10日於聖克拉拉舉行的閃存峰會（FMS）2023上，SK海力士公司介紹其321層1TbTLC*4DNAND閃存的開發進展，並展示樣品。SKhynix是業內首傢詳細公佈300多層NAND開發進展的公司。該公司計劃提高321層產品的完成度，並在2025年上半年
232層NAND閃存，同期三星電子制造的是176層NAND閃存，SK海力士在去年也已研發出全球最高的238層NAND閃存，三星電子則是在去年11月份開始批量生產236層NAND閃存。外媒在報道中還提到，一位業內的分析師稱，在存儲芯片領域，三星
據DigiTimes援引韓國媒體報道稱，韓國存儲芯片大廠SK海力士正在推遲其在中國大連的第二座3DNANDFlash工廠的完工。這一決定一方面為應對存儲市場需求下滑，另一方面則是由於去年10月美國出臺的限制對華出口先進半導體制造設備
歷一場“史無前例”的危機。三星電子利潤暴跌97%、SK海力士創下有史以來最大虧損、美光科技、西部數據等存儲大廠庫存攀升，存儲芯片價格跌入谷底。Gartner報告顯示，2023年全球存儲器市場規模下降37%，成為半導體市場中下
業最小的單元尺寸。這一計劃也將使三星的進度超過SK海力士，SK海力士曾在不久前宣佈計劃在2025年開始量產321層NAND芯片。預計三星第9代NAND閃存芯片仍將采用雙堆疊技術，其中包括在兩個獨立過程中創建NAND存儲器，然後將它們
突破 200 層大關的時候，三星分別被美光（232L）和 SK 海力士（238L）給反超。直到去年提供超過 200 層的 V-NAND 閃存樣品，三星才逐漸積累所需的先驗知識。雖然我們尚未知曉三星第 8 代 V-NAND 的確切規格參數，但新一代產品勢必
在大陸晶圓廠的駐場人員已經於10日開始陸續撤離。SK海力士等外資廠商在大陸的晶圓廠也接到相關美系半導體設備廠商的通知。不過，據韓聯社今天的中午的報道稱，韓國存儲芯片大廠SK海力士與三星電子已經於美國當地時間10