SK海力士首發321層閃存 三星被偷傢原因揭秘：步子邁太大

，鎧俠沒有明說。目前堆疊層數最多的閃存技術來自SK海力士，達到321層，不過要到2025年上半年才能量產。有趣的是，三星方面此前聲稱，計劃在2030年實現1000層閃存(SSD容量也規劃到1000TB)，不知道和鎧俠誰能最先做到。三星的V-

受市場需求疲軟影響，官方稱暫時不會商用。隨後，SK海力士宣佈238層堆疊，三星一般認為做到236層。現在看來，NAND閃存這一輪的競爭，西數、鎧俠不但速度最慢，反而還是最落後的。長江存儲232層閃存美光232層閃存

業最小的單元尺寸。這一計劃也將使三星的進度超過SK海力士，SK海力士曾在不久前宣佈計劃在2025年開始量產321層NAND芯片。預計三星第9代NAND閃存芯片仍將采用雙堆疊技術，其中包括在兩個獨立過程中創建NAND存儲器，然後將它們

5%，已成為世界第六大NAND閃存制造商，僅次於三星、SK海力士、Kioxia、西部數據和美光。當前，長江存儲約40%的產量是128層3D NAND閃存，這是迄今為止中國芯片制造商生產的最先進的產品，其餘主要為64層3D NAND閃存。這要落後於三

據DigiTimes援引韓國媒體報道稱，韓國存儲芯片大廠SK海力士正在推遲其在中國大連的第二座3DNANDFlash工廠的完工。這一決定一方面為應對存儲市場需求下滑，另一方面則是由於去年10月美國出臺的限制對華出口先進半導體制造設備

月8日至10日於聖克拉拉舉行的閃存峰會（FMS）2023上，SK海力士公司介紹其321層1TbTLC*4DNAND閃存的開發進展，並展示樣品。SKhynix是業內首傢詳細公佈300多層NAND開發進展的公司。該公司計劃提高321層產品的完成度，並在2025年上半年

顯示，截至2021年，三星在DRAM市場份額為42.7%，其次是SK海力士的28.6%和美光的22.8%；NAND閃存方面，截至2022年Q2，三星電子擁有33.9%的市場份額，位列全球第一；通過收購Intel NAND Flash閃存業務，SK海力士組建新公司Solidigm，市場份額

在大陸晶圓廠的駐場人員已經於10日開始陸續撤離。SK海力士等外資廠商在大陸的晶圓廠也接到相關美系半導體設備廠商的通知。不過，據韓聯社今天的中午的報道稱，韓國存儲芯片大廠SK海力士與三星電子已經於美國當地時間10

歷一場“史無前例”的危機。三星電子利潤暴跌97%、SK海力士創下有史以來最大虧損、美光科技、西部數據等存儲大廠庫存攀升，存儲芯片價格跌入谷底。Gartner報告顯示，2023年全球存儲器市場規模下降37%，成為半導體市場中下

前已做出決定在無需單獨批準的情況下，三星電子和SK海力士可以向中國工廠供應美國半導體設備。據悉，無限期豁免將通過更新 Validated End-User（VEU）清單來取得。隻要被納入這份清單，就無需另外取得單獨許可，代表美國出口

韓國SK海力士（SKHynix）已經開發出238層NAND閃存芯片，它可以用於PC存儲設備、智能手機和服務器。上周美光也開始出貨232層NAND閃存芯片。SK海力士宣稱新的238層芯片是最小的NAND閃存芯片，數據傳輸速度相比上代產品提升50%，讀

子宣佈削減存儲芯片產量後，其股價一度跳漲逾4.1%，SK海力士股價也大漲逾5.1%。三星證券分析師Seo Jung-hun表示：“芯片制造商領漲，因市場預期在三星決定減產後，存儲芯片行業將出現復蘇。”鎧俠、美光已紛紛減產，但存儲

占三傢，韓國兩傢，日本一傢，隨著Intel閃存業務被SK海力士收購，現在變成五大原廠，其中三星+SK海力士合計份額超過50%。根據集邦科技發佈的Q2季度閃存報告，三星在Q2季度營收59.8億美元，環比下滑5.4%，市場份額33%，位列第

開。權威半導體機構TechInsights最近專門研究長江存儲的232層閃存，發現它確實達到世界頂級水平。研究顯示，長江存儲1Tb TLC芯片的存儲密度已達15.47Gb每平方毫米，1Tb QLC更是高達19.8Gb每平方毫米，在兩種閃存類型中都無出其右者