SK海力士、三星、英特爾在華晶圓廠均已獲得美國出口限制豁免


今天美國針對中國大陸的半導體制造“設施”開發、生產或使用集成電路的限制規則正式生效。這也意味著美系半導體設備廠商將無法繼續向中國大陸的半導體制造商供應半導體設備、零部件及技術支持。

昨天的消息也顯示,美系設備廠商在大陸晶圓廠的駐場人員已經於10日開始陸續撤離。SK海力士等外資廠商在大陸的晶圓廠也接到相關美系半導體設備廠商的通知。

不過,據韓聯社今天的中午的報道稱,韓國存儲芯片大廠SK海力士與三星電子已經於美國當地時間10月11日獲得美國商務部的許可,兩傢企業可以在未來1年內無需辦理任何額外的手續即可獲得美系半導體設備的供應。因此,這兩傢存儲芯片廠商位於中國大陸的晶圓廠的生產都將不會受到禁令的影響。

根據美國此前於當地時間10月7日出臺的新禁令,所有位於中國大陸芯片制造廠商,如果要采購16nm或14nm或以下非平面晶體管結構(即FinFET或GAAFET)的邏輯芯片、18nm半間距或更小的DRAM內存芯片、以及128層或以上NAND閃存芯片制造所需的美系半導體設備,都將被“直接拒絕”,而在這個“閾值”以下的設備供應仍需要獲得美國的許可。

對於三星、SK海力士、英特爾等在中國大陸設有晶圓廠的外資廠商,美國則表示“跨國公司擁有的半導體制造設施將根據具體情況決定”。

據悉,目前三星和SK海力士正在升級其位於中國大陸的晶圓廠,需要進口眾多的設備。

資料顯示,截止至2020年,SK海力士已累計在中國投資超過200億美元,在無錫擁有4000多名員工,並於2019年完成第二工廠C2F的建設。隨著C2F項目的持續推進,無錫工廠將承擔SK海力士DRAM存儲半導體生產總量將近一半的份額。

此外,在2020年10月20日,SK海力士還以90億美元收購包括英特爾大連NAND閃存工廠在內的英特爾NAND閃存業務。但是,英特爾仍將繼續保留其特有的傲騰業務。2021年12月22日,在獲得中國政府審批後,SK海力士正式完成對於英特爾NAND閃存業務的收購。不過目前,英特爾大連廠尚未完全交割。根據約定預計,雙方將在 2025年3月份最終交割時,SK 海力士將支付剩餘的20億美元從英特爾收購其餘相關資產,包括 NAND 閃存晶圓的生產及設計相關的知識產權、研發人員以及中國大連工廠的員工。

今年5月16日,愛思開海力士·英特爾DMTM半導體(大連)有限公司非易失性存儲器項目在大連金普新區舉行開工儀式。該項目將建設一座新的晶圓工廠,從事非易失性存儲器3D NAND芯片產品的生產。

另外,三星也正在持續推進西安高端3D NAND存儲芯片項目的建設。該項目分為三期,一期項目總投資108億美元,2014年5月竣工投產,月產能13萬片;二期項目總投資150億美元,主要制造閃存芯片。目前,二期第二階段項目已於2021年年中建成投產。三星西安一期、二期項目存儲芯片月產能各13萬片。三星西安NAND存儲生產基地產能占三星全球NAND Flash整體產能當中的占比高達40%。根據之前的規劃,三星還將投資150億美元建設西安三期項目,主要制造5G芯片和汽車芯片。

正是因為SK海力士和三星的大陸工廠升級所需的設備較多,因此,每個案件的審批程序復雜,需要很長時間,因此,他們在與美國政府溝通後,一次性獲得所需的設備進口綜合許可。這也使得此前三星和SK海力士疑慮的,需要根據個案逐案審查,可能造成的程序延遲等不確定性暫時得到消除。

SK hynix官方表示:“為在中國大陸繼續生產半導體產品,我們與美國進行圓滿的協商,今後將與政府一起與美國商務部密切協商,努力在遵守國際秩序的范圍內運營中國大陸工廠。”

另據芯智訊解,英特爾位於大連的存儲工廠(SK海力士收購後尚未完全交割)也獲得美國商務部的許可。一位美系設備廠商內部人員告訴芯智訊:“我們收到通知,英特爾大連廠已經獲得美國商務部的許可,我們已經可以繼續向英特爾大連廠提供支持。”

不過,目前尚不清楚英特爾大連廠所獲得的許可是否與SK海力士一樣是為期一年的許可。

另外據韓聯社報道稱,美國對SK海力士的許可措施似乎僅限於對現有工廠的升級,至於一年後是否會繼續獲得許可尚不得而知。

據悉,美國政府的立場是,主要針對的不是現在進行中的項目,而更多的是針對未來的項目,後續將繼續與韓方協商允許進口設備的程度。

一位消息人士表示:“美國並不會無限期地給予許可,而是針對三星和SK海力士在升級中國當地工廠期間,為避免進行復雜的逐案申請,所以給予為期1年的許可。”

另一位消息人士表示:“據我解,此次措施是美國政府對三星和SK的具體項目給予全面許可的。”

報道稱,美國政府在準備出口管制措施的過程中就與韓國共享內容,韓國政府為不讓三星和SK海力士在中國大陸工廠的運營出現問題,因此與美國方面進行密切協商。韓方要求美方確保韓國企業在大陸正在進行升級的半導體制造項目不要出現問題。在雙方的磋商過程中,美國政府也向韓國政府轉達“不會對跨國公司的半導體生產造成幹擾”的立場。

從美國的立場來看,如果出口管制要取得效果,自然是需要韓國這個半導體強國的協助,如果韓國企業在美國的制裁當中受到損失,韓國政府與美國政府的合作將會面臨巨大壓力。

值得註意的是,目前美國正在積極推動與韓國、日本、中國臺灣組建由美國領導的“芯片四方聯盟”(Chip4)。雖然美國之前表示,該聯盟旨在聯合這幾個在全球半導體產業鏈當中占據優勢地位的地區,解決半導體供應鏈問題。但是,業界認為,美國組建Chip4的背後的意圖是利用這一組織將中國大陸排除在全球半導體供應鏈之外。此前韓國也一直對此存有疑慮,希望避免針對中國大陸。

那麼為讓韓國、日本、中國臺灣能夠幫助美國更好的實現其圍堵中國大陸的戰略目標,美國自然會想辦法拉攏他們,並且會避免在圍堵中國大陸的過程中誤傷到相關的海外企業。

所以,美國在出臺對華制裁新規之前就已經與韓國政府共享內容,並第一時間給予韓國相關企業以豁免。而在美國對華禁令的實施下,中國大陸的存儲廠商發展大大受限,三星、SK海力士等存儲巨頭也將間接受益。


相關推薦

2023-04-27

據DigiTimes援引韓國媒體報道稱,韓國存儲芯片大廠SK海力士正在推遲其在中國大連的第二座3DNANDFlash工廠的完工。這一決定一方面為應對存儲市場需求下滑,另一方面則是由於去年10月美國出臺的限制對華出口先進半導體制造設備

2023-04-02

受到影響,那麼或將導致其在中國的客戶轉向三星、SK海力士、鎧俠等存儲芯片制造商,以及中國本土的存儲芯片制造商長江存儲和長鑫存儲。美光除在中國有銷售自有品牌的存儲產品之外,同時也有向一些OEM廠商銷售存儲晶圓

2023-10-14

情況下供應芯片設備。此前,韓國芯片制造商三星和SK海力士就被美國指定為經認證終端用戶”,可無限期向其中國工廠供應美國芯片設備。我們預計會通過VEU流程獲得永久授權。”臺積電表示。該公司指出,他們之前並不需要

2023-02-26

世界上最大的兩傢半導體制造商韓國的三星和SK海力士可能會面臨有關位於中國工廠的產品制造能力的進一步限制。三星和SK海力士專門生產存儲芯片,並在中國擁有生產設施,與長江存儲技術有限公司(YMTC)和長鑫存儲技術有

2024-03-25

快科技3月24日消息,據媒體報道,SK海力士計劃在韓國京畿道中部的龍仁市投資興建一座龐大的半導體生產園區,耗資至少120萬億韓元(約合907億美元)。據悉,新的半導體生產園區包括四座獨立的晶圓廠,將成為全球范圍內規

2023-03-06

擬在內的全球芯片產能當中,截至2022 年底,三星、SK 海力士,美光等三大存儲芯片制造商合計擁有全球先進制程產能的 76%,其中絕大部分用於先進的 DRAM 和 3D NAND Flash 的生產。其中,三星占據32%的份額,美光占據25%的份額,SK

2022-08-09

議。中國是韓國半導體企業相當重要的市場,三星、SK海力士均在中國建有工廠,其產品在全球市場上占有重要份額。三星在西安擁有唯一的內存芯片海外生產基地,主要生產閃存芯片,12寸晶圓月產能達26.5萬,占三星閃存整體

2023-01-14

顯示,截至2021年,三星在DRAM市場份額為42.7%,其次是SK海力士的28.6%和美光的22.8%;NAND閃存方面,截至2022年Q2,三星電子擁有33.9%的市場份額,位列全球第一;通過收購Intel NAND Flash閃存業務,SK海力士組建新公司Solidigm,市場份額

2022-09-21

媒在報道中稱,除有興趣參與的英特爾,三星電子、SK海力士、高通等廠商,也被認為是最有可能收購Arm的公司。但有韓國媒體在報道中稱,Arm成為被收購目標的吸引力在降低,業內人士認為三星電子和SK海力士這兩傢公司,不

2022-10-11

三年來首次出現利潤同比下滑。此外,美光、鎧俠、SK海力士已經宣佈大幅縮減明年資本支出。隨著全球經濟衰退蔓延到科技與芯片產業,從AMD到三星,從美光到SK海力士,海外芯片巨頭已經迎來一個凜冽的“寒冬”。半導體行

2023-10-10

前已做出決定在無需單獨批準的情況下,三星電子和SK海力士可以向中國工廠供應美國半導體設備。據悉,無限期豁免將通過更新 Validated End-User(VEU)清單來取得。隻要被納入這份清單,就無需另外取得單獨許可,代表美國出口

2023-04-24

令時,華盛頓方面"敦促"韓國內存巨頭三星和SK海力士不要填補因禁止美光而留下的供應缺口。有理由相信,貝恩資本持有多數股權的Kioxia公司也被美國政府提出類似的要求。因此,如果中國要執行對美光的禁令,就必須

2024-03-07

SK海力士、三星電子和美光正在為HBM3E的主導地位展開激烈爭奪。在SK海力士壟斷HBM3市場的同時,隨著HBM供應短缺的出現,三星電子和美光正在全力爭奪下一代市場HBM3E市場的領先地位。“SK海力士、三星電子和美光中最先通過NVID

2022-09-29

的閃存工廠生產傲騰產品。但是,在2020年10月20日,SK海力士與英特爾在韓國共同宣佈簽署收購協議,根據協議約定,SK海力士將以90億美元收購包括英特爾NAND SSD業務、NAND部件及晶圓業務,包括英特爾在中國大連的NAND閃存制造工