若“豁免期”無法延長 SK海力士或將出售未完工的大連晶圓廠


據DigiTimes援引韓國媒體報道稱,韓國存儲芯片大廠SK海力士正在推遲其在中國大連的第二座3DNANDFlash工廠的完工。這一決定一方面為應對存儲市場需求下滑,另一方面則是由於去年10月美國出臺的限制對華出口先進半導體制造設備,使得SK海力士設備采購受到影響。

消息稱,SK未來甚至可能會考慮放棄後續工程,並出售該晶圓廠已建成的基礎設施。

早在2020年10月20日,SK海力士就以90億美元收購包括Intel大連NAND閃存工廠在內的IntelNAND閃存業務。但是,Intel仍將繼續保留其特有的傲騰業務。

2021年12月22日,在獲得中國政府審批後,SK海力士正式完成對於IntelNAND閃存業務的收購。

不過目前,Intel大連廠尚未完全交割。

根據約定預計,雙方將在 2025年3月份最終交割時,SK 海力士將支付剩餘的20億美元從Intel收購其餘相關資產,包括 NAND 閃存晶圓的生產及設計相關的知識產權、研發人員以及中國大連工廠的員工。

2022年5月16日,愛思開海力士·Intel DMTM半導體(大連)有限公司非易失性存儲器項目在大連金普新區舉行開工儀式。

該項目將建設一座新的晶圓工廠,從事非易失性存儲器3D NAND  Flash芯片產品的生產。這也正是此次報道中所指的SK海力士位於大連的第二座晶圓廠。

通常晶圓廠的基礎設施建設需要1年左右的時間,然而,據知情人士透露,該晶圓廠的施工尚未進入收尾階段,也並未與晶圓廠設備供應商就交付和安裝進行討論。

在最壞的情況下,SK海力士可能會決定賣掉大樓而不是繼續安裝昂貴的設備。

其中,一方面的原因是,目前存儲市場需求仍在下滑,鎧俠、美光、三星等存儲芯片大廠都相繼宣佈減產計劃。

SK海力士雖然未宣佈減產,但也將今年的資本支出大幅縮減50%。這也使得SK海力士有意放緩新的存儲晶圓廠的建設步伐,以減少資本支出。

更為關鍵的原因則在於,去年10月,美國出臺對華半導體出口管制新規,限制128層及以上3D NAND Flash、18nm半間距或更小的DRAM內存芯片所需的制造設備的對華出口,除非有美國商務部頒發的特殊許可證。

目前荷蘭和日本也陸續跟進美國對華新規,宣佈將推出對應的限制政策,這也使得更多相關設備的對華出口受到限制。

目前128層3D NAND Flash是主流,但是頭部的存儲芯片廠商已經邁向更高的堆疊層數。美光在去年就量產232層3D NAND Flash。

對於SK海力士來說,為使晶圓廠具有長期競爭力,SK海力士就必須瞄準128層及以上3D NAND Flash制造。

雖然在2022年10月11日SK海力士取得美國商務部給予的1年豁免期,可以不受限制的為其在大陸的晶圓廠采購需要的設備,但是SK海力士並未取得荷蘭及日本政府的豁免。

而且由於一些關鍵的半導體設備交期超過1年以上(比如ASML的主流的光刻機目前平均交期仍高達18個月),隨著SK海力士的豁免期僅剩半年左右,SK海力士可能無法在豁免期結束前完成設備的搬入。

此外,來自應用材料(Applied Materials)、科磊(KLA)和泛林(Lam Research) 等公司的美國工程師現在被禁止在沒有政府出口許可證的情況下向中國大陸的半導體設施提供服務,因此即使安裝采購的工具也可能是個問題。

除非美國繼續延長對SK海力士的豁免期,並向相關美系設備廠商的美籍技術人員提供豁免。如果這些都無法辦到,不僅SK海力士在中國大陸擴產將受到影響,原有產線的維護與技術升級也將受到影響。

SK海力士首席營銷官Kevin Noh在去年第三季度財報的電話會議上就曾表示,在美國新規之下,SK海力士中國無錫廠的運作將受許多限制,“無法不受影響”。

“作為應急計劃,我們可能要考慮出售晶圓廠、出售設備或將設備轉移到韓國。”Kevin Noh強調,“這是一個應急計劃, 我們希望(繼續)在不面對這種情況的情況下運營。”

SK海力士官方隨後強調,“中國工廠的設備轉移”等相關發言是針對可能性極低的極端情況作出的現場回復,本公司澄清並未研究過與此相關的具體計劃。

對於1年豁免期到期後,能否繼續獲得美國的豁免,SK海力士發言人曾表示,“許可可能延長,也可能依個案審查”,“韓國及美國政府同意繼續協商”。

值得註意的是,在今年2月底,美國商務部副部長艾倫·埃斯特維茲 (Alan Estevez)在美國戰略與國際問題研究中心(CSIS)組織的“韓美經濟安全論壇”上公開表示,在美國對華半導體出口管制新規出臺之後,將禁止某些半導體技術進入中國大陸,雖然也會為在中國生大陸設廠的非中國大陸芯片制造商(三星、SK海力士等)設定配額,但將會對他們在中國大陸的發展設置上限。

當被要求進一步澄清時,埃斯特維茲說,會依據相關公司的NAND閃存芯片堆疊層數,選定“某個范圍”作為上限。但是這個限制范圍“也將取決於中國人在做什麼”。

也就是說,未來可能將不會再有不受限制的“豁免”,而是會將三星、SK海力士在中國大陸的晶圓廠的生產能力限制在一定范圍,可能會與美國新規的限制對齊。


相關推薦

2022-10-12

經與韓國政府共享內容,並第一時間給予韓國相關企業以豁免。而在美國對華禁令的實施下,中國大陸的存儲廠商發展大大受限,三星、SK海力士等存儲巨頭也將間接受益。

2024-03-25

快科技3月24日消息,據媒體報道,SK海力士計劃在韓國京畿道中部的龍仁市投資興建一座龐大的半導體生產園區,耗資至少120萬億韓元(約合907億美元)。據悉,新的半導體生產園區包括四座獨立的晶圓廠,將成為全球范圍內規

2023-04-02

受到影響,那麼或將導致其在中國的客戶轉向三星、SK海力士、鎧俠等存儲芯片制造商,以及中國本土的存儲芯片制造商長江存儲和長鑫存儲。美光除在中國有銷售自有品牌的存儲產品之外,同時也有向一些OEM廠商銷售存儲晶圓

2022-09-29

術,但依賴於被美光收購的IM Flash工廠的供貨。根據之後延長的供貨協議,美光對英特爾的供應將在2021年年底結束。當時消息稱,英特爾將計劃對新墨西哥州的Rio Rancho晶圓廠升級後,在那為自己的傲騰產品線生產3D XPoint閃存芯

2022-10-02

美元的價格,將旗下NAND閃存與固態存儲業務賣給韓國SK海力士,同時移交位於中國大連的Fab68晶圓廠。就在一個月前,Intel又放棄僅有的傲騰存儲業務,不是出售而是直接關閉,預計損失5.59億美元。SK海力士收購Intel NAND業務後,

2022-10-05

術領先地位,他們在其他領域的領先都將變得無關緊要。無法主宰的領域”進入2019年後,NAND市場價格繼續低迷,Intel存儲業務也在全年四個季度持續虧損,這也是他們不得不甩掉的包袱,特別是主營業務萎靡的時候。經過多年

2023-03-06

擬在內的全球芯片產能當中,截至2022 年底,三星、SK 海力士,美光等三大存儲芯片制造商合計擁有全球先進制程產能的 76%,其中絕大部分用於先進的 DRAM 和 3D NAND Flash 的生產。其中,三星占據32%的份額,美光占據25%的份額,SK

2022-09-21

媒在報道中稱,除有興趣參與的英特爾,三星電子、SK海力士、高通等廠商,也被認為是最有可能收購Arm的公司。但有韓國媒體在報道中稱,Arm成為被收購目標的吸引力在降低,業內人士認為三星電子和SK海力士這兩傢公司,不

2022-09-06

SK海力士剛剛宣佈,該公司已決定在韓國忠清北道的清州市新建一座M15X(eXtension)工廠。在分析未來市場動向之後,SK海力士最終決定較最初計劃更早地在先前獲得的地塊上開工建設。今年10月,位於青州科技城的60000平米工業園

2023-11-20

邏輯半導體集成到同一個芯片上。據韓國媒體報道,SK海力士認為市場上有可能實現更"高效"的半導體封裝,該公司相信下一代HBM4存儲器可以實現這一目標。據說SK 海力士已經聘請相當數量的邏輯半導體設計

2024-03-18

歐元,占總收入的11.0%,與2019年相比增長66%。如果該技術無法得到廣泛應用,這些研發投入將可能成為沉沒成本。Besi最近3年研發支出情況混合鍵合,仍然是大勢所趨!盡管面臨著諸多挑戰,混合鍵合技術仍是未來芯片互聯技術

2024-07-07

IC設計公司庫存調整已逐漸正常化。臺積電、三星、SK海力士、美光等大廠作為行業領頭羊,已經開始增加資本支出,積極擴充產能。臺積電計劃將2025年資本支出提升至320億至360億美元,以應對2nm制程產能的強勁需求,三星和SK

2022-08-02

,當然也包括存儲大國——韓國。世人皆知,三星和SK海力士兩大存儲頭部企業扛起韓國半導體產業,亦知韓國半導體在設備和材料領域的薄弱,卻不知如今韓國半導體設備產業發展如何?本篇文章,筆者就來盤點下韓國半導體

2024-04-15

歷一場“史無前例”的危機。三星電子利潤暴跌97%、SK海力士創下有史以來最大虧損、美光科技、西部數據等存儲大廠庫存攀升,存儲芯片價格跌入谷底。Gartner報告顯示,2023年全球存儲器市場規模下降37%,成為半導體市場中下