SK hynix發佈321層TLC NAND 1Tb閃存技術將於2025年上半年量產

科技8月9日消息，日前SK海力士宣佈全球首發321層堆棧的4D閃存，這也是閃存首次提升到300層以上，核心容量1Tb，TLC類型。在堆棧層數上，SK海力士的4D閃存因為架構不同，相比其他傢來說堆棧層數占優一些，比如之前美光及國產

升50%，讀取數據消耗的能量降低21%。SK海力士準備於2023年上半年開始大規模生產新芯片。英特爾NAND業務被SK海力士收購後更名為Solidigm，它與SK海力士合計占有全球NAND閃存市場的18%，僅次於三星的35.3%和Kioxia的18.9%。以下為官方新

最多的閃存技術來自SK海力士，達到321層，不過要到2025年上半年才能量產。有趣的是，三星方面此前聲稱，計劃在2030年實現1000層閃存(SSD容量也規劃到1000TB)，不知道和鎧俠誰能最先做到。三星的V-NAND已經推進到第九代，將在明

內置閃存UFS（通用閃存）的最新規格產品，預計最早明年上半年可以量產。UFS是應用國際半導體標準化機構JEDEC的內置存儲器接口的閃存，這是為智能手機、平板電腦等移動傢電而制定的新一代標準，與傳統的MMC（多媒體卡）相

目前正在出貨其第七代 176 層 V-NAND，並計劃在今年年底前發佈基於其第八代 230 層設計的 V-NAND 芯片。後者采用 512 Gb 芯片，密度將提高 42%。但三星正著眼於密度的更大幅度躍升，並預計到 2030 年實現 1,000 層 V-NAND 設計。三星還

全球主要的兩種存儲芯片中，NAND閃存已經進入3D時代，容量比2D時代大幅提升，DRAM內存還停留在2D，現在美國NEO半導體公司日前宣佈全球首款3D內存，旨在解決內存容量瓶頸，容量追上SSD不是問題。NEO是美國一傢存儲芯片技術公

同時，SK海力士的第七代238層3D NAND預計將被整合到2023年發佈的新內存產品的生產周期中。

人Lee Jung-Bae發表文章，稱三星已生產出基於其第九代V-NAND閃存產品的運行芯片，希望明年初可以實現量產。同時三星還正在開發行業內領先的11納米級DRAM芯片。該負責人還表示，對於DRAM三星正在研發3D堆疊結構和新材料；對於NAN

在存儲介質方面，WD Blue SN5000 SSD根據不同容量采用不同的閃存技術。其中，500GB、1TB和2TB的版本采用BiCS5 112層3D TLC NAND閃存，而4TB的版本則搭載更為先進的BiCS6 162層3D QLC NAND閃存。預計8TB的版本也將采用這一先進的閃存技術，為用

8月2日，國產閃存制造商長江存儲在2022年閃存峰會（FMS）上宣佈，正式推出基於晶棧?3.0（Xtacking?3.0）技術的第四代TLC三維閃存X3-9070。消息顯示，該3DNAND閃存堆疊層數或已達到業界領先的232層。長江存儲第四代TLC三維閃存X3-9070據

管理。除此之外，從鎧俠、西部數據以及存儲器終端廠商發佈的最新財報中也可以看出，各大廠商業績均迎來較好表現。2024年，存儲行業步入上行周期眼下存儲芯片最核心的三大應用市場，即手機、PC和服務器，已基本突破“黑

快科技6月27日消息，鎧俠最近公佈3D NAND閃存發展藍圖，目標2027年實現1000層堆疊。自2014年以來，3D NAND閃存的層數經歷顯著的增長，從初期的24層迅速攀升至2022年的238層，短短8年間實現驚人的10倍增長。鎧俠正是基於這種每年平

sights對長存（YMTC）、三星、SK海力士和美光最新的NANDFlash閃存芯片進行比較，主要對比芯片尺寸、存儲密度、有源層、字線間距等因素。三星一直憑借其超高縱橫比 (UHAR) 孔蝕刻實現的單層工藝主導128層3D NAND。目前，三星仍然以

閃存芯片的進化方向非常明確，那就是通過更多層地堆疊來實現更快的讀寫速度，同時提高單位面積的存儲容量，降低存儲成本。在ISSCC2023期間，35名SK海力士工程師聯名提交論文，詳細闡述他們是如何攻克300+堆疊的難關。通過