閃存芯片的進化方向非常明確，那就是通過更多層地堆疊來實現更快的讀寫速度，同時提高單位面積的存儲容量，降低存儲成本。在ISSCC2023期間，35名SK海力士工程師聯名提交論文，詳細闡述他們是如何攻克300+堆疊的難關。
通過運用TPGM（三重驗證編程）、AUSP（自適應未選串預給電）、PDS（被編程假字符串）、APR以及PLRR（平面級讀取重試）等五項技術，他們實現超過300層的TLC顆粒堆疊。
這顆1Tb容量的TLC 3D閃存（3bit/Cell）達到驚人的20Gb/mm2容量密度，寫入速度更是狂飆到194MB/s創紀錄。
按計劃，SK海力士的300+層TLC將在2024年量產商用。
此外，在I/O速度方面，目前NAND閃存主要是Intel/索尼/SK海力士/群聯/西數/美光主推的ONFi。最新的2021年公佈的ONFI 5.0標準的I/O接口速度最大為2.4Gbps。而長江存儲2019年量產的Xtacking 1.0技術就已經將I/O接口的速度大幅提升到3Gbps，實現
SK海力士將把目前最高的238層NAND（V8）應用於新一代內置閃存UFS（通用閃存）的最新規格產品，預計最早明年上半年可以量產。UFS是應用國際半導體標準化機構JEDEC的內置存儲器接口的閃存，這是為智能手機、平板電腦等移動傢
。為強調該原型的改進所帶來的性能提升，該原型與SK海力士之前保持紀錄的第七代238層3D NAND進行比較。新的第八代3D NAND公佈的帶寬數據最大為194 MB/s，與舊型號的164 MB/s形成鮮明對比，意味著性能增加18%。記錄密度也得益於300
月8日至10日於聖克拉拉舉行的閃存峰會（FMS）2023上，SK海力士公司介紹其321層1TbTLC*4DNAND閃存的開發進展，並展示樣品。SKhynix是業內首傢詳細公佈300多層NAND開發進展的公司。該公司計劃提高321層產品的完成度，並在2025年上半年
快科技8月9日消息，日前SK海力士宣佈全球首發321層堆棧的4D閃存，這也是閃存首次提升到300層以上，核心容量1Tb，TLC類型。在堆棧層數上，SK海力士的4D閃存因為架構不同，相比其他傢來說堆棧層數占優一些，比如之前美光及國
近日，芯片分析機構TechInsights對長存（YMTC）、三星、SK海力士和美光最新的NANDFlash閃存芯片進行比較，主要對比芯片尺寸、存儲密度、有源層、字線間距等因素。三星一直憑借其超高縱橫比 (UHAR) 孔蝕刻實現的單層工藝主導128層3
業最小的單元尺寸。這一計劃也將使三星的進度超過SK海力士，SK海力士曾在不久前宣佈計劃在2025年開始量產321層NAND芯片。預計三星第9代NAND閃存芯片仍將采用雙堆疊技術，其中包括在兩個獨立過程中創建NAND存儲器，然後將它們
能做到2Tb（256GB），且制程工藝更先進還已經量產。SK海力士在本次峰會上，也拿出堆疊度更高的238層“4D TLC”閃存。
韓國SK海力士（SKHynix）已經開發出238層NAND閃存芯片，它可以用於PC存儲設備、智能手機和服務器。上周美光也開始出貨232層NAND閃存芯片。SK海力士宣稱新的238層芯片是最小的NAND閃存芯片，數據傳輸速度相比上代產品提升50%，讀
歷一場“史無前例”的危機。三星電子利潤暴跌97%、SK海力士創下有史以來最大虧損、美光科技、西部數據等存儲大廠庫存攀升，存儲芯片價格跌入谷底。Gartner報告顯示，2023年全球存儲器市場規模下降37%，成為半導體市場中下
SK海力士公司正在加大在先進芯片封裝方面的支出，希望能更多地滿足人工智能開發中關鍵組件（高帶寬內存）不斷增長的需求。前三星電子公司工程師、現任SK海力士封裝開發負責人LeeKang-Wook表示，這傢總部位於利川的公司今
長會議的一部分，該研討會將由三星主要競爭對手 SK 海力士材料開發主管 Deoksin Kil 主持。013D NAND，1000層據Xtech Nikkei報道，Kioxia 首席技術官 (CTO) Hidefumi Miyajima 表示，該公司計劃到 2031 年批量生產超過 1,000 層的 3D NAND 內存。在東
今年4月份，SK海力士收購IntelNAND閃存業務後組建的全新公司Solidigm發佈成立後的首款產品，面向數據中心和企業級應用的SSDD7-P5520、D7-P5620，基於原Intel144層堆疊的3DTLC閃存芯片，全套自傢主控、固件、驗證。今天，Solidigm正式發佈
受市場需求疲軟影響，官方稱暫時不會商用。隨後，SK海力士宣佈238層堆疊，三星一般認為做到236層。現在看來，NAND閃存這一輪的競爭，西數、鎧俠不但速度最慢，反而還是最落後的。長江存儲232層閃存美光232層閃存