快科技10月17日消息，今天，三星電子內存業務負責人Lee Jung-Bae發表文章，稱三星已生產出基於其第九代V-NAND閃存產品的運行芯片，希望明年初可以實現量產。同時三星還正在開發行業內領先的11納米級DRAM芯片。
該負責人還表示，對於DRAM三星正在研發3D堆疊結構和新材料；對於NAND閃存，正在通過增加堆疊層數、同時降低高度來實現半導體行業最小的單元尺寸。
這一計劃也將使三星的進度超過SK海力士，SK海力士曾在不久前宣佈計劃在2025年開始量產321層NAND芯片。
預計三星第9代NAND閃存芯片仍將采用雙堆疊技術，其中包括在兩個獨立過程中創建NAND存儲器，然後將它們組裝在一起。
與老對手三星不同，SK海力士的300層NAND產品采用的是三重堆疊技術，每組分別堆疊120層、110層和91層，最後組合成一個芯片。
相比於三重堆疊，雙堆疊工藝在生產成本和效率上存在著不小的優勢。三星此舉也是為用成本優勢來超越對手，從而鞏固其市場領先地位。
在去年舉辦的三星技術日上，三星表示將在2030年實現堆疊多達1000層的技術。然而如果不采用三重堆疊工藝，要實現超過400層的堆疊將是一個挑戰。因此業內人士表示三星可能會在第10代430層產品中開始采用三重堆疊技術。