三星正準備量產第8代V-NAND閃存，包括即將推出的PCIe5.0SSD在內的產品，都有望為用戶帶來巨大的存儲容量和性能體驗提升。隨著V-NAND升級到236層，同等存儲容量的體型也可變得更加緊湊。作為參考，去年發佈的第7代V-NAND已提供176層、且支持高達2.0GT/s的傳輸速率。
除臺式機和筆記本電腦，智能手機也有望迎來基於最新一代 V-NAND 的 UFS 3.1（以及最新的 UFS 4.0）標準的高速閃存。
不過想要堆砌更多層的 3D-NAND 也並非易事，盡管三星早在 2013 年就率先發佈初代 V-NAND，但實際推行仍相當謹慎。
於是在突破 200 層大關的時候，三星分別被美光（232L）和 SK 海力士（238L）給反超。
直到去年提供超過 200 層的 V-NAND 閃存樣品，三星才逐漸積累所需的先驗知識。
雖然我們尚未知曉三星第 8 代 V-NAND 的確切規格參數，但新一代產品勢必會帶來性能與密度的大幅提升。
作為參考，美光聲稱其 232 層 NAND 可實現單顆 2TB 容量，以及 11.68 GB/s 讀取和 10 GB/s 的寫入速度。
在將上述特性縮放到一張郵票大小的芯片上的同時，整體讀取延遲也有所改進，意味著傳輸速度的繼續提升。
最後，隨著 AMD 銳龍 7000 和英特爾 Raptor Lake 平臺即將上市，相信三星頁會很快向客戶交付更大容量 @ 10+ GB/s 速率的固態驅動器。