三星在其最新財報中提供有關其數據中心產品組合的最新信息，確認下一代HBM3E、DDR5和V-NAND將於第二季度推出。這傢韓國巨頭報告說，它正在見證人工智能領域創紀錄的增長，並將在這一領域推出多條新產品線。
首先，三星已開始量產其 HBM3E"Shinebolt"內存，本月將首先出貨 8-Hi 堆棧，隨後將在第二季度推出 12-Hi 變體。下一代內存解決方案將在 8 模塊芯片（如 AMD 的 MI300X）上提供每個堆棧 36 GB 的容量，最高可達 288 GB 的產品。
據報道，AMD 已經與三星代工廠簽訂協議，後者將提供 HBM3E DRAM，用於現有和下一代產品，如更新的MI350/MI370 GPU，據說這些產品的內存容量都會增加。
在 DDR5 DRAM 方面，三星將於 2024 年第二季度推出 1b(nm) 32 Gb 內存模塊，並投入量產。這些內存 IC 將用於開發高達 128 GB 的模塊。三星已經向客戶交付下一代 DDR5 解決方案的首批樣品。
最後，三星將在固態硬盤 V-NAND 領域推出 64 TB 數據中心固態硬盤。這些固態硬盤將於 2024 年第二季度向客戶提供樣品，該公司還預計將於第三季度開始量產第 9 代 V-NAND 固態硬盤。第 9 代 V-NAND 固態硬盤將采用 QLC（四層單元）設計。有報道稱， TLC V-NAND（第 9 代）將於本月開始生產，其傳輸速度將提高 33%，達到 3200 MT/s。這些固態硬盤將采用最新的 PCIe Gen5 標準。