據TrendForce集邦咨詢最新HBM市場研究顯示，為更妥善且健全的供應鏈管理，英偉達正規劃加入更多的HBM供應商。其中，三星的HBM3（24GB）預期於今年12月在NVIDIA完成驗證。之前英偉達的HBM由SK海力士獨傢供應，如今三星、美光都將加入。這也意味著，三傢存儲龍頭都將為英偉達供應HBM。
而HBM3e進度依據時間軸排列如下表所示：
美光已於今年7月底提供8hi（24GB）NVIDIA樣品、SK海力士已於今年8月中提供8hi（24GB）樣品，三星則於今年10月初提供8hi（24GB）樣品。預期2024年第一季完成HBM3e產品驗證。
HBM（High Bandwidth Memory）即高帶寬存儲器，屬於圖形DDR內存的一種，通過使用先進的封裝方法（如TSV矽通孔技術）垂直堆疊多個DRAM，與GPU通過中介層互聯封裝在一起。
HBM的優點在於打破內存帶寬及功耗瓶頸。且CPU處理的任務類型更多，且更具隨機性，對速率及延遲更為敏感，HBM特性更適合搭配GPU進行密集數據的處理運算。英偉達新一代AI芯片，均搭載HBM內存。
HBM產品問世至今，HBM技術已經發展至第四代，分別為HBM、HBM2、HBM2e、HBM3，第五代HBM3e已在路上。
四代HBM規格對比
至於下一代HBM新品HBM4（第六代），在堆棧的層數上除現有的12hi (12層)外，也將再往16hi (16層)發展。
預計，HBM4 12hi將於2026年推出，而16hi產品則於2027年問世。
據悉，在HBM4中，將首次看到最底層的Logic die（又名Base die）將首次采用采用12nm制程晶圓，該部分將由晶圓代工廠提供，使得單顆HBM產品需要晶圓代工廠與存儲器廠合作。