在今天的英偉達GTC2024大會上，英偉達CEO黃仁勛宣佈推出新一代GPUBlackwell，第一款Blackwell芯片名為GB200，將於今年晚些時候上市。采用臺積電4NP工藝制程，配備192HBM3E內存，共有2080億個晶體管，大語言模型性能比H100提升30倍，成本和能耗降低96%。
隨後SK海力士發佈公告稱，其最新的超高性能AI內存產品HBM3E已開始量產，並將從本月下旬起向客戶供貨。
據介紹，在存儲半導體三大巨頭（三星電子、SK海力士、美光）中，SK海力士是首傢實現量產HBM3E供應商。
HBM3E每秒可處理1.18TB數據，相當於在1秒內可處理230部全高清（FHD）級電影。
在散熱方面，SK海力士表示其HBM3E采用MR-MUF技術，散熱性能較上一代產品提高 10%，從而在散熱等所有方面都達到全球最高水平。
SK海力士高管表示：“公司通過全球首次HBM3E投入量產，進一步強化領先用於AI的存儲器業界的產品線。”
其還表示，公司積累的HBM業務成功經驗，將進一步夯實與客戶的關系，並鞏固全方位人工智能存儲器供應商的地位。
SK海力士、三星電子和美光正在為HBM3E的主導地位展開激烈爭奪。在SK海力士壟斷HBM3市場的同時，隨著HBM供應短缺的出現，三星電子和美光正在全力爭奪下一代市場HBM3E市場的領先地位。“SK海力士、三星電子和美光中最先通過NVID
上隻有韓國人能量產。根據 Trendforce 數據，韓國的 SK 海力士和三星，他倆在 2023 年拿捏全球 90% 的 HBM 內存產能。而兩年市面上的 AI 芯片，什麼 A100 A800 們，反正你能想到的，基本就沒誰能離開 HBM 內存。所以，就在老黃的英偉
最近，SK海力士披露亮眼的第四季度財報，2023年第四季度實現扭虧為盈，當季營業利潤3460億韓元（約合2.6億美元），而上年同期營業虧損1.91萬億韓元。這意味著，SK海力士成功擺脫從2022年第四季度以來一直持續的營業虧損情況
SK海力士公司正在加大在先進芯片封裝方面的支出，希望能更多地滿足人工智能開發中關鍵組件（高帶寬內存）不斷增長的需求。前三星電子公司工程師、現任SK海力士封裝開發負責人LeeKang-Wook表示，這傢總部位於利川的公司今
在第三季度財報電話會議上，SK海力士的一位領導者表示：“我們已經在2023年出售明年HBM3和HBM3E的所有產量。”此外，其還表示正在與客戶就2025年的產能進行談判。HBM類似數據的“中轉站”，就是將每一幀、每一幅圖像數據保
I時代“新寵”，三巨頭競爭也日益激烈，占據優勢的SK海力士脫穎而出。本月以來，外投大舉買入韓國芯片制造業巨頭SK海力士，其外資持股比例創下歷史新高。據韓國交易所最新數據，截至上周四，外資持有SK海力士的比例達
歷一場“史無前例”的危機。三星電子利潤暴跌97%、SK海力士創下有史以來最大虧損、美光科技、西部數據等存儲大廠庫存攀升，存儲芯片價格跌入谷底。Gartner報告顯示，2023年全球存儲器市場規模下降37%，成為半導體市場中下
財報會議上透露，其2024年的HBM產能預計已全部售罄；SK海力士副總裁KimKi-tae表示，雖然2024年剛開始，但旗下的HBM已全部售罄。當存儲三巨頭（SK海力士、三星、美光科技）圍繞HBM進行升級、擴產的那一刻，意味著蟄伏十年之久、
美東時間周三，韓國SK海力士公司宣佈，已經與美國印第安納州政府簽署合作協議，將投資38.7億美元在該州的西拉斐特建造一座先進的芯片封裝工廠和人工智能（AI）產品研究中心。這傢全球第二大存儲芯片制造商表示，這將是S
傲騰內存已經被放棄，業界會轉向更標準的CXL內存，SK海力士日前宣佈成功開發出DDR5級別的CXL內存，支持PCIe5.0x8通道，一套服務器的內存容量可以輕松從768GB提升到1.15TB，同時速度大增。所謂CXL內存，指的是Compute Express Link標準
科技1月1日消息，韓國Chosun Biz近日報道，NVIDIA已經向SK海力士、鎂光，交付700億至1萬億韓元（約合5.4億至7.7億美元）的預付款，業內預計這筆款項在10.8億美元到15.4億美元之間。雖然沒有說明具體用途，但業界普遍認為，NVIDIA是
三星和SK海力士正在"認真"爭奪HBM3的主導地位，因為兩傢公司都看到來自人工智能行業的大量訂單。韓文版ZDNET報道稱，三星和SK海力士目前在為AMD和NVIDIA等全球客戶制造和供應HBM方面處於領先地位。英偉達（N
域的專屬。據韓國《每日經濟新聞》報道，臺積電和SK海力士已成立所謂的AI半導體聯盟。臺積電和SK海力士這倆傢能夠合作的原因之一是，它們需要非常密切的合作，以確保SK海力士的 HBM3E和HBM4內存能夠與臺積電制造的芯片配合
;quot;黃仁勛認證（JENSENAPPROVED）"的簽名。而SK海力士因部分工程問題，未能推出12層HBM3E產品，但計劃從本月末開始批量生產8層HBM3E產品。今年2月27日，三星電子官宣成功開發出業界首款36GB 12H（12層堆疊）HBM3E DRAM內存。