韓國科技業內人士認為,SKHynix已經向英偉達(NVIDIA)發送"12層DRAM堆疊HBM3E(第5代HBM)"原型樣品。根據ZDNet.co.kr的一篇文章,最初的樣品已於上個月發貨。
2023 年年中的報道稱,NVIDIA在夏季前後獲得8 層 HBM3E(第 4 代)單元的樣品,SK Hynix 也很快收到批準通知。另一傢韓國媒體DealSite 認為,英偉達的內存認證流程暴露多傢制造商的 HBM 產量問題。SK 海力士、三星和美光在 HBM3E 領域展開激烈的競爭,希望能將各自的產品應用到英偉達的 H200 AI GPU 上。
DigiTimes Asia稱,SK Hynix準備在本月某個時間點"開始量產第五代HBM3E"。業內人士認為,SK Hynix 的良品率足以通過NVIDIA的早期認證,先進的 12 層樣品有望在不久的將來獲得批準。
ZDNet認為,SK Hynix 的發展勢頭使其處於有利地位:"(他們)在去年下半年提供 8 層 HBM3E 樣品,並通過最近的測試。雖然官方時間表尚未公佈,但預計最早將於本月開始量產。此外,SK Hynix 上個月還向英偉達提供 12 層 HBM3E 樣品。該樣品屬於極早期版本,主要用於建立新產品的標準和特性。SK Hynix 將其稱為 UTV(Universal Test Vehicle)。由於海力士已經完成 8 層 HBM3E 的性能驗證,預計 12 層 HBM3E 的測試不會花費太多時間"
SK Hynix副總裁最近透露,公司 2024 年的 HBM 產能已經預定一空,領導層已經在為 2025 年及以後的創新做準備。