SK Hynix將投資10億美元開發關鍵AI存儲芯片技術


彭博社報道,總部位於利川的SKHynix公司今年將在韓國投資超過10億美元,用於擴大和改進其芯片制造的最後步驟,前三星電子工程師、現任SKHynix封裝開發主管的LeeKang-Wook說。該工藝的創新是HBM作為最受歡迎的人工智能內存的核心優勢所在,進一步的進步將是降低功耗、提高性能和鞏固公司在HBM市場領先地位的關鍵。

隨著現代人工智能及其通過並行處理鏈消化大量數據的技術的出現,這種技術的重要性與日俱增。雖然 SK 海力士沒有披露今年的資本支出預算,但分析師的平均估計是 14 萬億韓元(105 億美元)。這表明,先進的封裝技術可能占到其中的十分之一,是主要的優先事項。

Lee 在接受采訪時說:"半導體行業的前 50 年都是關於前端的,也就是芯片本身的設計和制造。但是,下一個 50 年的重點將是後端,即封裝。"

在這場競賽中,率先實現下一個裡程碑的公司現在可以躍居行業領先地位。SK Hynix 被 NVIDIA 公司選中,為其制定標準的人工智能加速器提供 HBM,從而將這傢韓國公司的價值推高到 119 萬億韓元。自2023年初以來,SK海力士的股價已上漲近120%,成為韓國第二大最有價值的公司,超過三星和美國競爭對手美光科技。

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現年 55 歲的 Lee 協助開創封裝第三代 HBM2E 技術的新方法,並很快被其他兩傢主要制造商效仿。這項創新是 SK Hynix 在 2019 年底贏得 NVIDIA 客戶地位的關鍵。

長期以來,Lee 一直熱衷於通過堆疊芯片來獲得更高的性能。2000 年,他在日本東北大學獲得微系統三維集成技術的博士學位,師從發明用於手機的堆疊電容 DRAM 的小柳光正。2002 年,Lee 加入三星存儲器部門擔任首席工程師,領導開發基於矽通孔 (TSV) 的 3D 封裝技術。

這項工作後來成為開發 HBM 的基礎。HBM 是一種高性能存儲器,它將芯片堆疊在一起,並用 TSV 連接,以實現更快、更節能的數據處理。

但在前智能手機時代,三星在其他地方下更大的賭註。全球芯片制造商通常會將組裝、測試和封裝芯片的任務外包給較小的亞洲國傢。

因此,當 SK Hynix 和美國合作夥伴 Advanced Micro Devices Inc. 於 2013 年向全球推出 HBM 時,在三星於 2015 年底開發出 HBM2 之前的兩年時間裡,它們一直沒有受到挑戰。李在鎔三年後加入 SK 海力士。他們不無自豪地開玩笑說,HBM 代表"海力士最好的內存"。

裡昂證券韓國公司的分析師 Sanjeev Rana 說:"SK 海力士的管理層對這個行業的發展方向有更好的洞察力,他們已經做好充分的準備。當機會來臨時,他們用雙手抓住它。至於三星,他們被打個措手不及"。

ChatGPT 於 2022 年 11 月發佈,這正是 Lee 翹首以盼的時刻。當時,他的團隊在日本聯系人的幫助下,已經開發出一種名為大規模回流註塑填充(MR-MUF)的新型封裝方法。這種工藝是在矽層之間註入液態材料,然後使其硬化,從而改善散熱和產量。據一位熟悉內情的人士透露,SK 海力士與日本 Namics 公司合作開發這種材料,並獲得相關專利。

Lee 表示,SK Hynix 正在將大部分新投資用於推進 MR-MUF 和 TSV 技術。

多年來,三星一直被其高層的接班人問題所困擾,現在三星正在進行反擊。NVIDIA 去年向三星的 HBM 芯片點頭示意,這傢總部位於水原的公司於 2 月 26 日表示,它已開發出第五代 HBM3E 技術,該技術擁有 12 層 DRAM 芯片,容量達到 36GB,為業界最大。

同一天,總部位於美國愛達荷州博伊西的美光公司(Micron)宣佈開始批量生產 24GB 八層 HBM3E,這將成為 NVIDIA 第二季度出貨的 H200 Tensor Core 設備的一部分,令業內觀察人士大吃一驚。

隨著 SK Hynix 致力於擴大和提高國內技術,並計劃在美國建立價值數十億美元的先進封裝工廠,面對日益激烈的競爭,Lee 依然看好 SK Hynix 的發展前景。他認為,目前的投資為未來新一代 HBM 滿足更多需求奠定基礎。


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