SKHynix代表在ISSCC2023會議上公佈該公司在3DNAND開發方面的最新突破。一個具有300多層的新閃存原型的細節被披露，該公司表示，一個由35名工程師組成的團隊為演示材料做出貢獻。
為強調該原型的改進所帶來的性能提升，該原型與SK海力士之前保持紀錄的第七代238層3D NAND進行比較。新的第八代3D NAND公佈的帶寬數據最大為194 MB/s，與舊型號的164 MB/s形成鮮明對比，意味著性能增加18%。
記錄密度也得益於300多個活性層的設計，SK海力士提到1TB（128GB）的容量，三層單元和超過20GB/mm^2的位密度。該芯片具有16KB頁面大小，四個平面和2400MT/s接口。密度的增加將讓制造過程中每TB成本的降低，希望最終消費者能從性能和容量的提升中受益。
第八代3D NAND的五個技術實現領域已被確定：
三重驗證程序（TPGM）功能，縮小單元的閾值電壓分佈，並將tPROG（編程時間）減少10%，這將轉化為更高的性能。
自適應非選擇字符串預充電（AUSP）--另一個程序可將tPROG降低約2%。
全通道上升（APR）方案，將tR（讀取時間）減少約2%，並削減字行上升時間
編程假字符串（PDS）技術，通過減少通道電容負載來減少世界線的tPROG和tR穩定時間
平面讀取重試（PLRR）功能，允許在不終止其他平面的情況下改變其讀取水平，從而立即發出後續的讀取命令，提高服務質量（QoS），從而提高讀取性能。
SK Hynix的代表沒有為其尖端的3D NAND的生產和最終推出日期提供任何確定的時間框架。行業觀察人士估計，這種內存要到2024年很晚的時候才會上架，或者在2025年的某個時候。與此同時，SK海力士的第七代238層3D NAND預計將被整合到2023年發佈的新內存產品的生產周期中。
