鎧俠首席技術官HidefumiMiyajima近日披露，鎧俠計劃在2031年批量生產超過1000層堆疊的3DNAND閃存。鎧俠現有的最新閃存技術是2023年3月推出的第八代BiCS，堆疊218層，接口速度3200MT/s。
至於使用什麼樣的新技術、新工藝才能達到1000多層，鎧俠沒有明說。
目前堆疊層數最多的閃存技術來自SK海力士，達到321層，不過要到2025年上半年才能量產。
有趣的是，三星方面此前聲稱，計劃在2030年實現1000層閃存(SSD容量也規劃到1000TB)，不知道和鎧俠誰能最先做到。
三星的V-NAND已經推進到第九代，將在明年初量產，基於雙堆棧架構，可達成業界最高堆疊層數，預計超過300層，再往後的第十代則會達到430層左右。
快科技6月27日消息，鎧俠最近公佈3D NAND閃存發展藍圖，目標2027年實現1000層堆疊。自2014年以來，3D NAND閃存的層數經歷顯著的增長，從初期的24層迅速攀升至2022年的238層，短短8年間實現驚人的10倍增長。鎧俠正是基於這種每年平
是什麼秘密。在2022年的技術日上，三星公佈雄心勃勃的計劃，到2030年，其最先進的NAND芯片將“堆疊超過1,000層”，這意味著PB級SSD屆時可能問世。去年，該公司曾表示可能能夠更快地交付產品，但這似乎是科技行業的一廂情願
為主擴大銷售，改善盈利並加強內部管理。除此之外，從鎧俠、西部數據以及存儲器終端廠商發佈的最新財報中也可以看出，各大廠商業績均迎來較好表現。2024年，存儲行業步入上行周期眼下存儲芯片最核心的三大應用市場，
疊可達到更高容量，還可使得產品開發時間縮短三個月，生產周期可縮短20%，從而大幅縮短3D NAND產品的從開發到上市周期。根據Tech Insights在去年10月拆解和測試長江存儲512Gb 128層Xtacking 2.0 TLC芯片的分析報告顯示，該芯片的die尺
凈收益。報道第 9 代 V-NAND 的同一消息來源還稱，該公司計劃在 2025 年初推出其後續產品--第 10 代 V-NAND。第 10 代 V-NAND 閃存預計將達到 430 層，比第 9 代 V-NAND 閃存增加 140 層（第 9 代 V-NAND 閃存比上一代增加 54 層）。這將使三星
、同時降低高度來實現半導體行業最小的單元尺寸。這一計劃也將使三星的進度超過SK海力士，SK海力士曾在不久前宣佈計劃在2025年開始量產321層NAND芯片。預計三星第9代NAND閃存芯片仍將采用雙堆疊技術，其中包括在兩個獨立過
西部數據、鎧俠聯合宣佈下一代3DNAND閃存的一些技術細節，這次堆疊到218層。新閃存包含四個平面(plane)，應用先進的晶圓鍵合(waferbonding)、橫向收縮(lateralshrink)技術，並在橫向收縮、縱向收縮方面取得平衡，存儲密度比上代提升
高漲。最新消息是，全球領先存儲解決方案提供商之一的鎧俠（Kioxia），剛剛宣佈其開發的業內首款2TBmicroSDXCUHS-I存儲卡的工作原型，特點是采用該公司創新的BiCSFLASH3D閃存+自研主控。（來自：Kioxia Press Releases）盡管 SD 協會早在
計劃尋找授權廠商，包括三星、SK海力士、美光、西數、鎧俠等等。
影響 I/O 性能。另外，由於兩種類型的芯片可以在不同的生產線上制造，因此可以使用各自優化的工藝節點分別生產，不僅可以縮短生產周期，還可以降低制造復雜度和成本。此外，該技術也使得每平方毫米的存儲密度、性能和
占用率的時候，隨機讀取性能可以從11000 IOPS左右提高到超過18000 IOPS，70％讀取/30％寫入的混合讀寫性能則可從15000-17000 IOPS左右提高到25000 IOPS左右。Solidigm P41 Plus將於近期在全球各地陸續上市，性價比會非常高，既有華碩、惠普
技術的開發，並已取得重大突破。SK海力士透露，目前其5層堆疊的3D DRAM良品率已高達56.1%，這一數據意味著在單個測試晶圓上，能夠成功制造出約1000個3D DRAM單元，其中超過一半（即561個）為良品，可用於實際應用。此外，SK海
。其中，一方面的原因是，目前存儲市場需求仍在下滑，鎧俠、美光、三星等存儲芯片大廠都相繼宣佈減產計劃。SK海力士雖然未宣佈減產，但也將今年的資本支出大幅縮減50%。這也使得SK海力士有意放緩新的存儲晶圓廠的建設
快科技8月8日消息，鎧俠今天發佈面向數據中心的頂級SSD CD8P，不但擁有最高30.72TB的超大容量，還支持PCIe 5.0。鎧俠CD8P提供U.2、E3.S兩種形態，單個端口，主控、閃存、固件全套都是鎧俠自主解決方案。其中，閃存是112層堆疊的BiC