11月11日消息，通過美國加州北區地方法院最新公佈的信息解到，中國3DNAND閃存制造商——長江存儲科技有限責任公司（以下簡稱“長江存儲”）已於11月9日在美國加州北區地方法院對美國美光科技公司（MICRON）和美光消費類產品事業部（MICRONCONSUMERPRODUCTSGROUP,LLC）（以下統稱“美光”）提起訴訟，指控美光侵犯其8項與3DNAND相關的美國專利。
據悉，本次涉案的長江存儲的美國專利包括：
US10,950,623（3D NAND存儲器件及其形成方法）、US11,501,822（非易失性存儲裝置及控制方法）、US10,658,378（三維存儲器件的直通陣列接觸 (TAC)）、US10,937,806 （三維存儲器件的直通陣列接觸 (TAC)）、US10,861,872（三維存儲器件及其形成方法） 、US11,468,957（NAND存儲器操作的體系結構和方法）、US11,600,342（三維閃存的讀取方法）、US10,868,031（多層堆疊三維存儲器件及其制造方法）。
長江存儲在起訴書中稱，美光的128層、176層等諸多系列3D NAND侵犯長江存儲上訴8項專利。美光在未經授權的情況下利用長江存儲的專利技術來與長江存儲進行競爭，保護其市場份額，侵犯長江存儲的利益，遏制其創新的動力。
長江存儲表示，目前其已經是全球3D NAND市場的領導者。
2022年11月，半導體研究機構TechInsights在一項分析後得出的結論：“長江存儲所取得的成就令人驚嘆，現在是3D NAND 閃存領域的領導者”，“一舉超越美光”。
特別值得一提的是，近年來，隨著3D NAND技術堆疊到128層甚至更高，外圍CMOS電路所占據的芯片面積或將達到50%以上。為解決這一問題，長江存儲在2018年推出自研的創新的Xtacking技術。
Xtacking是通過將兩塊獨立的晶圓分別制造NAND陣列和外圍CMOS邏輯電路，然後將CMOS邏輯電路堆疊在NAND陣列之上，二者之間的垂直連接則需要相應的鍵合技術來實現，形成間距為10μm 及以下的互連，且不會影響 I/O 性能。
另外，由於兩種類型的芯片可以在不同的生產線上制造，因此可以使用各自優化的工藝節點分別生產，不僅可以縮短生產周期，還可以降低制造復雜度和成本。此外，該技術也使得每平方毫米的存儲密度、性能和可擴展性可以進一步提高。
目前長江存儲的Xtacking技術已經進展到3.0版本。
資料顯示，長江存儲科成立於2016年7月，總部位於“江城”武漢， 是一傢專註於3D NAND閃存設計制造一體化的IDM集成電路企業，同時也提供完整的存儲器解決方案。
2017年10月，長江存儲通過自主研發和國際合作相結合的方式，成功設計制造中國首款3D NAND閃存。
2019年9月，搭載長江存儲自主創新 Xtacking 架構的第二代TLC 3D NAND閃存正式量產。
2020年4月，長江存儲宣佈第三代TLC/QLC兩款產品研發成功，其中X2-6070型號作為首款第三代QLC閃存，擁有發佈之時*業界*最高的I/O速度，最高的存儲密度和最高的單顆容量。
截至目前長江存儲已在武漢、北京等地設有研發中心，全球共有員工8000餘人，其中研發工程技術人員6000餘人。
作為國內最大的3D NAND制造廠商，長江存儲經過多年的發展，目前在技術上已經達到三星、SK海力士、美光等一線NAND技術廠商的水平，並且憑借創新的Xtacking架構實現存儲密度上的領先。
不過，自去年以來，由於受到美方的打壓，無法獲取先進的美日荷設備，產能擴張受到限制。
此次，長江存儲通過對美國存儲芯片大廠美光發起專利訴訟，維護自身權益，不僅反應自身技術的領先性，也體現國內受制企業敢於“亮劍”的精神。