據韓國媒體報道稱，中國存儲行業快速發展，這追趕速度讓他們感到驚訝。報道中指出，隨著相關政策的支持，中國存儲行業已經有長足的進步，而在NAND閃存方面，和三星、SK海力士等頭部企業的技術差距縮短到2年。
在韓國專傢看來，這是一個危險的信號，因為中國企業進步太迅速。
在他們看來，雖然NAND技術壁壘相對較低，但中國廠商的進步速度依然超出外界的預計，而韓國企業在DRAM領域，依然保持5年以上的技術差距，不過也應該更加當心被趕超。
之前美國加利福尼亞北區法院公佈的信息顯示，11月9日，長江存儲起訴美光科技及全資子公司美光消費產品集團有限責任公司侵犯其美國專利。
長江存儲在起訴書中提到，美光使用長江存儲的專利技術，以抵禦來自長江存儲的競爭，並獲得和保護市場份額。
這也是直接展示中國廠商在NAND閃存上突飛猛進的進步成果。
韓國統計廳周五公佈的數據顯示，韓國2月半導體產量環比下降17.1%，為2008年12月以來最大環比降幅，當時半導體產量驟降18.1%。與去年同期相比，2月半導體產量減少41.8%。韓國統計廳有關人士表示，從去年下半年開始，全球對存
8月2日，國產閃存制造商長江存儲在2022年閃存峰會（FMS）上宣佈，正式推出基於晶棧?3.0（Xtacking?3.0）技術的第四代TLC三維閃存X3-9070。消息顯示，該3DNAND閃存堆疊層數或已達到業界領先的232層。長江存儲第四代TLC三維閃存X3-9070據
沖器（page buffers）、讀出放大器和電荷泵）。通過分別生產存儲單元和外圍電路，制造商可以為每個組件利用最高效的工藝技術，隨著行業向串堆疊等方法發展，制造商將獲得更多優勢，串堆疊肯定會用於 1,000 層 3D NAND。值得註
兩國在半導體產業“脫鉤”，加上國內芯片半導體行業“國產替代”風向，無論是半導體材料、設備、EDA領域國際巨頭，還是三星、英特爾、英偉達、AMD等芯片供應商，他們在國內處於非常敏感且尷尬的局面——一面要穩定提升
“威脅”越來越明顯，尤其是在韓國被視為未來產業的非存儲半導體領域。雖然在14納米以下高精度半導體方面因美國制裁受阻，但中國正在將重點放在車用半導體制造和人工智能（AI）半導體設計領域。憑借在人工智能領域10倍
新廠房，並於2025年投入使用。該公司目前在清州工廠量產存儲用半導體“NAND型閃存”，新廠房此前被認為也會量產NAND尖端產品。據設備和材料供應商透露，SK海力士董事會做出無限期推遲擴建計劃的決定。由於個人電腦和智能
器件意義重大，因為它提供一種新穎的方法，可以解決生產存儲器件過程中的遺留問題，同時大大提高制造成本和能源效率。我們期待我們的研究成果能成為未來電子工程的基礎，實現包括高密度三維垂直存儲器和神經形態計算
廠商的通知。不過，據韓聯社今天的中午的報道稱，韓國存儲芯片大廠SK海力士與三星電子已經於美國當地時間10月11日獲得美國商務部的許可，兩傢企業可以在未來1年內無需辦理任何額外的手續即可獲得美系半導體設備的供應
趨勢。據芯智訊解，自2022年以來，江波龍持續加大對於國產存儲芯片的采用，其他供應來源也在加強，目前美光已經跌出其前三大供應商。而江波龍的存儲芯片供應商主要包括慧榮科技（SMI）、聯蕓科技、美滿電子（Marvell）等
的情況都差不多，大傢的需求都很弱。據國外媒體報道，存儲芯片市場目前的狀況並不樂觀，已有研究機構預計NAND閃存和DRAM的價格均在下滑，市場供過於求的狀況在明年會加劇。擁有三星電子和 SK 海力士這兩大存儲芯片巨頭的
韓國產業通商資源部長官安德根周四表示，政府將積極支持半導體產業，加快開發高帶寬存儲器和人工智能芯片，以實現每年1200億美元的出口目標。安德根當天參觀位於首爾以南33公裡的龍仁市SK海力士半導體產業園區，並表示
據DigiTimes援引韓國媒體報道稱，韓國存儲芯片大廠SK海力士正在推遲其在中國大連的第二座3DNANDFlash工廠的完工。這一決定一方面為應對存儲市場需求下滑，另一方面則是由於去年10月美國出臺的限制對華出口先進半導體制造設備
，對應的存儲芯片廠商陷入減產應對沒人購買的局面。韓國產業通商資源部周一發佈的數據顯示，韓國4月份出口額同比下降14.2%，至496億美元，連續七個月下滑，主要由於全球經濟放緩導致的芯片需求持續疲軟。由於需求下降和
下全資子公司長鑫存儲技術有限公司，是目前國內唯一的國產一體化動態隨機存取存儲芯片(DRAM)制造商。2018年，長鑫存儲成功研發國內首個8Gb DDR4芯片，2019年三季度成功量產DDR4/LPDDR4/LPDDR4X芯片。2023年底，長鑫儲存宣佈成功研發