目前，多傢存儲芯片廠商都已經量產232層/176層的NANDFlash芯片。近日，芯片分析機構TechInsights對長存（YMTC）、三星、SK海力士和美光最新的NANDFlash閃存芯片進行比較，主要對比芯片尺寸、存儲密度、有源層、字線間距等因素。
三星一直憑借其超高縱橫比 (UHAR) 孔蝕刻實現的單層工藝主導128層3D NAND。
目前，三星仍然以最小的字線 (WL) 間距領先，這允許堆疊更多層，同時最大限度地減少對垂直通道 (VC) 高度和狹縫深度的工藝要求的影響。
雖然看起來三星可能擁有最低的 128層 工藝成本，但它的裸片尺寸並不是最低的。
這很重要，因為裸片面積越小，在300mm晶圓上可以制造的NAND Flash裸片數量就越多，利潤也就越高。
三星已開始在 176層3D NAND（三星的第 7 代 3D NAND）采用外圍單元 (COP) 方法，這導致芯片尺寸相比上一代的73.60 mm2顯著減小至47.10 mm2，存儲密度也由6.96 Gb/mm2提升至10.87 Gb/mm2；
美光從32層3D NAND（美光的第一代 3D NAND）開始使用類似的方法，美光稱之為 CMOS under array，CuA，其上一代的176層芯片的尺寸為49.84 mm2，存儲密度為10.27 Gb/mm2，而其最新量產的232層芯片存儲密度則為14.60 Gb/mm2；
SK 海力士則是從96層3D NAND（SK 海力士的第四代3D NAND）開始使用類似的方法，SK 海力士將其稱為 4D NAND，單元下外圍或 PUC），其176層芯片的尺寸為46.50 mm2，存儲密度為11.01 Gb/mm2；
長存在64層3D NAND（長存第二代3D NAND）應用自研的 Xtacking技術 ，通過在外圍電路上放置存儲器陣列，實現縮小芯片尺寸的優勢，減小的裸片尺寸以及增加的有源字線 (AWL) 提高位密度。
長江存儲最新的Xtacking 3.0技術使得其232層3D NAND的存儲密度得到進一步提升，達到15.03Gb/mm2，是目前最高的。
根據長存YMTC 232-L 六平面 1 Tb TLC 芯片拆解來看，其具有Center X 解碼器，具有15.03Gb/mm2的最高密度。
下圖1 顯示該芯片的位密度 (Gb/mm 2 ) 與 AWL 數量的關系。
△圖 1：YMTC 232-L 1 Tb 芯片內部圖像
TechInsights預計，即將推出的 232/238層芯片的平均存儲密度將達到大約 15 Gb/mm2。
在 ISSCC 2022 上，三星的200＋層測片（配備四平面 1 Tb TLC 芯片和邊緣 X 解碼器）的位密度為 11.55 Gb/mm2。
當量產時，TechInsights預計其位密度將增加到 14.5 Gb/mm2。
此外，帶有Center X 解碼器的SK海力士238層六平面 1 Tb TLC 芯片的存儲密度估計為 14.75 Gb/mm2，比上一代將增加 34%。
美光已量產的232層六平面 1 Tb TLC 裸片據稱為其存儲密度為14.60 Gb/mm2。
顯然，在232/238層級別，長存顯示出最高的存儲密度，預計三星的存儲密度最低。
但這並不意味著三星已經落後，因為還需要考慮的更重要的因素——總體成本，因此每bit成本的指標是最理想的比較數據。
TechInsights表示，目前正通過其最近收購的IC Knowledge在努力計算每位成本，很快將會提供這些信息。