快科技6月27日消息，鎧俠最近公佈3D NAND閃存發展藍圖，目標2027年實現1000層堆疊。
自2014年以來，3D NAND閃存的層數經歷顯著的增長，從初期的24層迅速攀升至2022年的238層，短短8年間實現驚人的10倍增長。鎧俠正是基於這種每年平均1.33倍的增長速度，預測到2027年達到1000層堆疊的目標是完全可行的。
在3D NAND閃存技術的競賽中，鎧俠展現出對層數挑戰的堅定決心，其目標似乎比三星更為激進。三星雖也計劃在2030年之前推出超過1000層的先進NAND閃存芯片，並計劃引入新型鐵電材料來實現這一目標，但鎧俠卻更早地設定具體的實現時間表。
去年，鎧俠推出BiCS8 3D NAND閃存，其層數高達218層，采用1Tb三層單元（TLC）和四層單元（QLC）技術，並通過創新的橫向收縮技術，成功將位密度提高50%以上。
若要實現2027年1000層堆疊的宏偉目標，鎧俠可能會進一步探索五層單元（PLC）技術的應用。
值得註意的是，提高3D NAND芯片的密度並非僅僅意味著增加層數，更涉及到制造過程中可能遇到的一系列新問題和技術挑戰。
鎧俠首席技術官HidefumiMiyajima近日披露，鎧俠計劃在2031年批量生產超過1000層堆疊的3DNAND閃存。鎧俠現有的最新閃存技術是2023年3月推出的第八代BiCS，堆疊218層，接口速度3200MT/s。至於使用什麼樣的新技術、新工藝才能達到1000多層
《Hankyung》報道，三星準備在下個月推出第9代V-NAND（3DNAND閃存），預計將提供290層結構，比該公司於2022年首次推出的236層第八代V-NAND有進一步的提高。據報道，三星是通過改進閃存層堆疊技術實現 290 層垂直堆疊密度的，這種技
合接通電路，而且隻增加有限的成本。根據長江存儲此前公佈的數據顯示，在傳統3D NAND架構中，外圍電路約占芯片面積的20~30%，這也使得芯片的存儲密度大幅降低。隨著3D NAND技術堆疊到128層甚至更高，外圍電路所占據的芯片面
人Lee Jung-Bae發表文章，稱三星已生產出基於其第九代V-NAND閃存產品的運行芯片，希望明年初可以實現量產。同時三星還正在開發行業內領先的11納米級DRAM芯片。該負責人還表示，對於DRAM三星正在研發3D堆疊結構和新材料；對於NAN
為主擴大銷售，改善盈利並加強內部管理。除此之外，從鎧俠、西部數據以及存儲器終端廠商發佈的最新財報中也可以看出，各大廠商業績均迎來較好表現。2024年，存儲行業步入上行周期眼下存儲芯片最核心的三大應用市場，
在本周舉辦的閃存峰會暨博覽會（FMS2022）上，鎧俠（Kioxia）美國公司將與整個行業共同慶祝一個重要的裡程碑——NAND閃存發明35周年紀念。據悉，東芝（Toshiba）在1987年發明這項開創性的技術。而從東芝正式剝離出來的鎧俠，也
經開始，這已不是什麼秘密。在2022年的技術日上，三星公佈雄心勃勃的計劃，到2030年，其最先進的NAND芯片將“堆疊超過1,000層”，這意味著PB級SSD屆時可能問世。去年，該公司曾表示可能能夠更快地交付產品，但這似乎是科技
11月11日消息，通過美國加州北區地方法院最新公佈的信息解到，中國3DNAND閃存制造商——長江存儲科技有限責任公司（以下簡稱“長江存儲”）已於11月9日在美國加州北區地方法院對美國美光科技公司（MICRON）和美光消費類產
西部數據、鎧俠聯合宣佈下一代3DNAND閃存的一些技術細節，這次堆疊到218層。新閃存包含四個平面(plane)，應用先進的晶圓鍵合(waferbonding)、橫向收縮(lateralshrink)技術，並在橫向收縮、縱向收縮方面取得平衡，存儲密度比上代提升
計劃尋找授權廠商，包括三星、SK海力士、美光、西數、鎧俠等等。
這將依賴於千層堆疊和QLC/PLC閃存技術。沒想到，日前，鎧俠（原東芝）研究人員已經成功開發出更新的存儲顆粒，HLC閃存（Hepta-level），也就是7bits/cell，單位密度比QLC幾乎翻倍。鎧俠透露，它們使用單晶矽取代多晶矽作為內部
SK海力士在3D DRAM技術的研發上取得顯著進展，並首次詳細公佈其開發的具體成果和特性。公司正全力加速這一前沿技術的開發，並已取得重大突破。SK海力士透露，目前其5層堆疊的3D DRAM良品率已高達56.1%，這一數據意味著在單個
。其中，一方面的原因是，目前存儲市場需求仍在下滑，鎧俠、美光、三星等存儲芯片大廠都相繼宣佈減產計劃。SK海力士雖然未宣佈減產，但也將今年的資本支出大幅縮減50%。這也使得SK海力士有意放緩新的存儲晶圓廠的建設
快科技8月8日消息，鎧俠今天發佈面向數據中心的頂級SSD CD8P，不但擁有最高30.72TB的超大容量，還支持PCIe 5.0。鎧俠CD8P提供U.2、E3.S兩種形態，單個端口，主控、閃存、固件全套都是鎧俠自主解決方案。其中，閃存是112層堆疊的BiC