在前不久於深圳舉辦的閃存峰會上，三星預告十年內單SSD的容量即達到1PB（1024TB），外界預計這將依賴於千層堆疊和QLC/PLC閃存技術。沒想到，日前，鎧俠（原東芝）研究人員已經成功開發出更新的存儲顆粒，HLC閃存（Hepta-level），也就是7bits/cell，單位密度比QLC幾乎翻倍。
鎧俠透露，它們使用單晶矽取代多晶矽作為內部通道材料，運行時的電流噪聲據說也得到降低。
HLC的研制成功意味著，即便堆疊技術沒有任何改進，SSD的容量也能實現直接翻倍。
當然，HLC也有一些天然劣勢，除速度和帶寬會有所犧牲，更重要的是耐用性。QLC況且被一些用戶嗤之以鼻，PLC和HLC可想而知……
快科技7月3日消息，鎧俠宣佈，推出基於第八代BiCS FLASH 3D閃存技術的BiCS8 FLASH 2Tb QLC（四級單元）閃存，目前已開始送樣。據悉，這款2Tb QLC存儲器擁有業界最大容量，將存儲器容量提升到一個全新的水平，將推動包括人工智能在
快科技6月27日消息，鎧俠最近公佈3D NAND閃存發展藍圖，目標2027年實現1000層堆疊。自2014年以來，3D NAND閃存的層數經歷顯著的增長，從初期的24層迅速攀升至2022年的238層，短短8年間實現驚人的10倍增長。鎧俠正是基於這種每年平
SLC、MLC的，後者寫入壽命可達5000次甚至1萬次以上，好在鎧俠日前推出第二代XL-Flash閃存，這次就增加MLC，有望大幅提升容量。鎧俠的XL-Flash閃存雖然也是基於BiCS NAND閃存技術，但它的定位不同於常見閃存，而是跟Intel的傲騰、三
西部數據、鎧俠聯合宣佈下一代3DNAND閃存的一些技術細節，這次堆疊到218層。新閃存包含四個平面(plane)，應用先進的晶圓鍵合(waferbonding)、橫向收縮(lateralshrink)技術，並在橫向收縮、縱向收縮方面取得平衡，存儲密度比上代提升
等。對於QLC仍存在的一些爭議，Solidigm（SK海力士收購Intel閃存後成立的消費品牌，類似英睿達之於美光）產品營銷總監TahmidRahman有自己的一番看法。比如被問到QLC閃存顆粒會磨損較快時，Rahman表示，一代又一代的改進後，如今的
xia的18.9%。以下為官方新聞稿全文：SK海力士於8月3日宣佈成功研發全球首款業界最高層數的238層NAND閃存。近日，SK海力士向客戶發送238層 512Gb TLC(Triple Level Cell)* 4D NAND閃存的樣品，並計劃在2023年上半年正式投入量產。公司表示：
化碳排放量比機械硬盤幾乎翻倍，不夠綠色，多用MLC、SLC閃存能改善一些。美國威斯康星大學及加拿大不列顛哥倫比亞大學的兩名研究人員發佈最新的報告，他們研究HDD與SSD在各個環節的二氧化碳排放量，用1TB容量的SSD及HDD來評
計劃尋找授權廠商，包括三星、SK海力士、美光、西數、鎧俠等等。
2021年全球首發176層堆棧的3D閃存之後，美光今天有全球首發232層堆棧的TLC閃存，這是全然首個超過200層的閃存，也是業界密度最高的，接口速度提升到2.4GB/s，寫入速度提升100%。美光技術和產品執行副總裁 Scott DeBoer表示232層閃存
長江存儲早已低調推出創紀錄232層堆疊的新一代3D閃存，基於其創新的晶棧Xtacking3.0架構，TiPlus7100、Ti600等產品都已經用上，隻是因為某些原因，技術細節一直未公開。權威半導體機構TechInsights最近專門研究長江存儲的232層閃存
SLC、MLC、TLC、QLC……NAND閃存一路發展下來，存儲密度越來越高，而壽命和可靠性不斷下滑，比如作為最關鍵的衡量指標，P/E(編程/擦寫循環)次數就越來越少。根據維基百科的資料顯示，SLC閃存的P/E可以達到5000-10000次之多，MLC一
10月，長江存儲通過自主研發和國際合作相結合的方式，成功設計制造中國首款3D NAND閃存。2019年9月，搭載長江存儲自主創新 Xtacking 架構的第二代TLC 3D NAND閃存正式量產。2020年4月，長江存儲宣佈第三代TLC/QLC兩款產品研發成功，
Intel把閃存業務賣給SK海力士後，後者孵化出名為Solidigm的消費級/企業級品牌，關系類似於美光和英睿達。日前在Tech Field Day2022技術峰會上，Solidigm預覽旗下第4代192層3D閃存芯片，不過是QLC顆粒（4bits/cell）。看來Intel此前的QLC技術
和解決方案。增加 3D NAND 器件中的有源層數量是當今提高閃存記錄密度的最佳方法，因此所有 3D NAND 制造商都努力每 1.5 到 2 年就推出新的工藝節點來實現這一目標。每個新節點都會帶來一些挑戰，因為 3D NAND 制造商必須增加層