業界最大!鎧俠推出2Tb容量BiCS8 FLASH QLC閃存


快科技7月3日消息,鎧俠宣佈,推出基於第八代BiCS FLASH 3D閃存技術的BiCS8 FLASH 2Tb QLC(四級單元)閃存,目前已開始送樣。

據悉,這款2Tb QLC存儲器擁有業界最大容量,將存儲器容量提升到一個全新的水平,將推動包括人工智能在內的多個應用領域的增長。

憑借其最新的BiCS FLASH技術,通過專有工藝和創新架構,鎧俠實現存儲芯片的縱向和橫向縮放平衡。

此外,鎧俠還開發突破性的CBA(CMOS directly Bonded to Array,外圍電路直接鍵合到存儲陣列)技術,以提供更高的位密度和業界領先的接口速度(3.6Gbps(4))。這些先進技術的應用,共同促成2Tb QLC存儲器的誕生,成就業界容量最大的存儲器。

全新的第八代BiCS FLASH 2Tb QLC的位密度比鎧俠目前所采用的第五代BiCS FLASH的QLC產品提高約2.3倍,寫入能效比提高約70%。

不僅如此,全新的QLC產品架構可在單個存儲器封裝中堆疊16個芯片,為業界提供領先的4TB容量,並采用更為緊湊的封裝設計,尺寸僅為11.5 x 13.5 mm,高度為1.5 mm。

除2Tb QLC之外,鎧俠還推出1Tb QLC版本。相較於容量優化的2Tb QLC,1Tb QLC的順序寫入性能還能再提升約30%,讀取延遲提升約15%。1Tb QLC更適用於高性能領域,包括客戶端SSD和移動設備。


相關推薦

2022-08-08

SLC、MLC的,後者寫入壽命可達5000次甚至1萬次以上,好在鎧俠日前推出第二代XL-Flash閃存,這次就增加MLC,有望大幅提升容量。鎧俠的XL-Flash閃存雖然也是基於BiCS NAND閃存技術,但它的定位不同於常見閃存,而是跟Intel的傲騰、三

2024-06-28

快科技6月27日消息,鎧俠最近公佈3D NAND閃存發展藍圖,目標2027年實現1000層堆疊。自2014年以來,3D NAND閃存的層數經歷顯著的增長,從初期的24層迅速攀升至2022年的238層,短短8年間實現驚人的10倍增長。鎧俠正是基於這種每年平

2024-04-08

場傳NAND Flash產品企業級固態硬盤 (SSD) 陷入短缺。對此業界認為,主要是由於AI熱潮加上全球科技巨頭大舉建設數據中心,帶動存儲設備需求大幅增長,導致SSD供不應求。在此之下,存儲大廠開始有所動作。三星調漲企業級SSD

2023-04-04

這將依賴於千層堆疊和QLC/PLC閃存技術。沒想到,日前,鎧俠(原東芝)研究人員已經成功開發出更新的存儲顆粒,HLC閃存(Hepta-level),也就是7bits/cell,單位密度比QLC幾乎翻倍。鎧俠透露,它們使用單晶矽取代多晶矽作為內部

2024-02-02

鎧俠推出業界首款車載UFS4.0嵌入式閃存,並已經開始向業界提供樣品。據解,新款內存提供128GB、256GB和512GB三款不同容量的產品,支持寬溫度范圍,符合AEC-Q100Grade2要求,並針對復雜的車載應用環境增強可靠性。鎧俠表示,新產

2022-09-14

佈引入全新的工業級閃存陣容。該產品系列采用最新一代鎧俠BiCSFLASH3D閃存,采用3-bit-per-cell(三級單元,TLC)技術,並以132-BGA形式封裝。這些閃存設備提供容量范圍從512Gbit(64GB)到4Tbit(512GB),可以滿足電信、網絡、嵌入式

2022-09-28

6 個 1 Tb 容量的 3D 閃存芯片堆疊到一起。芯片安裝區域的最大厚度為 0.8 mm,因此仍然非常適合大容量的數據記錄應用。最後,如果一切順利,鎧俠計劃於 2023 年開始量產 2TB microSDXC 存儲卡。

2022-08-02

全球存儲解決方案領導者之一的鎧俠(Kioxia)公司,剛剛宣佈第二代XL-Flash。作為一種基於BiCSFLASH3D閃存技術的“存儲級內存”(SCM)解決方案,其能夠在提供高性能、低延遲體驗的同時,顯著降低每比特的成本。按照計劃,鎧

2024-01-21

iPhone 16 Pro Max最高提供2TB存儲,這將是蘋果史上存儲容量最大的機型。爆料指出,iPhone 16 Pro和iPhone 16 Pro Max改變存儲容量,不再使用三層單元(TLC)NAND閃存,而是使用更高密度的四層單元(QLC)NAND閃存,從而帶來2TB超大存儲空

2024-06-20

部數據WD Blue SN5000 SSD上線目前已經在西部數據官網上線,最大提供8TB容量。據悉,WD Blue SN5000 SSD之所以能在眾多競品中脫穎而出,離不開其強大的技術支撐。它借助NVMe、PCIe 4.0和nCache 4.0技術,為用戶在AI應用、數據處理等方面提

2022-08-03

方新聞稿全文:SK海力士於8月3日宣佈成功研發全球首款業界最高層數的238層NAND閃存。近日,SK海力士向客戶發送238層 512Gb TLC(Triple Level Cell)* 4D NAND閃存的樣品,並計劃在2023年上半年正式投入量產。公司表示:“自2020年12月完成17

2022-08-03

K IOPS、540K IOPS。可靠性上,平均故障間隔時間160萬小時,最大寫入量512GB 200TBW、1TB 400TBW、2TB 800TBW,五年質保,相當於每天0.22次全盤寫入。Solidigm強調,其消費級產品擁有兩大特色,一是為現實的工作負載進行優化,比如對低隊

2022-08-31

鎧俠(Kioxia)美國公司今日宣佈,其符合JEDECeMMCVer5.1標準、適用於消費級市場的最新一代嵌入式閃存產品已開始出樣。即使UFS的參數更加引人註目,但隨著平板電腦、物聯網等設備對中端存儲容量的需求持續增長,鎧俠也適時地

2022-10-05

就1TB而言,明年SSD和HDD的價差將開始抹平,這或將導致低容量的HDD被消費者更嫌棄。